2N4923

2N4923是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款NPN型双极性功率晶体管（BJT），采用经典的TO-225AA（TO-126-3）通孔封装。该器件设计用于处理中等功率的开关与线性放大应用，其核心架构基于成熟的平面工艺技术，确保了在宽泛工作条件下的稳定性和可靠性。其内部结构优化了电流流通路径，旨在实现较低的饱和压降和良好的热耗散性能，这对于功率应用中的效率提升至关重要。

该晶体管的核心电气特性使其在同类产品中具备显著优势。其集电极-发射极击穿电压（V_CEO）高达80V，能够耐受较高的反向电压，为电路设计提供了充裕的安全裕度。最大连续集电极电流（I_C）为1A，结合最大30W的集电极耗散功率，使其能够胜任多种驱动和功率控制任务。在饱和区域，其表现尤为突出，典型条件下V_CE(sat)可低至600mV（在I_C=1A， I_B=100mA时），这意味着在导通状态下产生的功耗较低，有助于提升系统整体效率并减少热管理负担。

在接口与参数方面，2N4923提供了平衡的性能组合。其直流电流增益（h_FE）在I_C=500mA， V_CE=1V条件下最小值为30，保证了有效的电流放大能力。集电极截止电流（I_CEO）最大为500A，表明了器件在关断状态下的良好隔离特性。尽管其跃迁频率（f_T）为3MHz，限制了其在射频高频领域的应用，但对于大多数音频放大、低频开关和电源调节电路而言已完全足够。器件结温（T_J）最高可承受150°C，展现了其稳健的热特性。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理进行采购咨询。

基于上述特性，2N4923非常适合应用于多种工业和消费电子领域。其典型应用场景包括线性稳压电源中的串联调整管、音频功率放大器的输出级或驱动级、继电器或小型电机的驱动电路，以及DC-DC转换器中的低压侧开关。其通孔封装形式便于在原型开发或对散热有要求的板卡上进行手工焊接和加装散热片。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需评估替代方案和长期供货情况，但在现有设备的维护和维修中，它仍是一款值得信赖的关键元件。

• 型号:2N4923
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-32
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:600mV @ 100mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 500mA，1V
• 功率 - 最大值:30 W
• 频率 - 跃迁:3MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
• 供应商器件封装:-
• 想获取2N4923的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N4923是ST意法半导体生产的一款NPN型功率双极性晶体管，采用TO-126-3（TO-225AA）通孔封装。该器件设计用于处理中等功率负载，其核心卖点在于高达80V的集电极-发射极击穿电压和1A的连续集电极电流能力，为电路提供了良好的电压裕度和电流驱动能力。

在性能参数上，其最大集电极耗散功率为30W，并能在高达150°C的结温下工作，具备可靠的功率处理与热稳定性。其饱和压降典型值较低（600mV @ 1A），有助于减少导通损耗，提升效率。虽然其3MHz的跃迁频率主要定位于中低频应用，但凭借其稳健的电气特性，该器件在电源调整、音频放大及各类开关驱动电路中曾是一款经典的选择。