2N5415

作为一款经典的功率放大与开关器件，2N5415采用了成熟的PNP型双极性结型晶体管（BJT）架构。其核心设计基于合金扩散工艺，在TO-39金属罐封装内构建了稳定的三层半导体结构，确保了器件在高电压工作条件下的可靠性与热稳定性。这种结构使其能够有效控制电流的放大与通断，是许多传统模拟与开关电路中的基础构建模块。

该器件具备多项关键电气特性，使其在特定应用中表现出色。其高达200V的集电极-发射极击穿电压（V_CEO）使其能够耐受较高的反向电压，适用于存在电压尖峰或需要高压摆幅的电路环境。同时，1A的连续集电极电流（I_C）处理能力，结合1W的最大功耗，赋予了它驱动中小功率负载的潜力。其直流电流增益（h_FE）在典型工作点（50mA， 10V）下最小值为30，提供了适中的电流放大能力。此外，15MHz的过渡频率（f_T）表明它能够处理一定频率范围内的信号，适用于中低频放大场景。

在接口与参数方面，2N5415采用标准的三引脚TO-39金属封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于通过通孔方式安装在印刷电路板上。其集电极截止电流低至50A，有助于降低电路的静态功耗。在饱和状态下，当基极电流为5mA、集电极电流为50mA时，其集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）最大值为2.5V，这一参数对于评估其在开关应用中的导通损耗至关重要。尽管该产品目前已处于停产状态，但在维护旧有设备或特定设计中仍有需求，用户可通过可靠的ST一级代理渠道获取原装或认证库存。

基于其高压、中电流的特性组合，2N5415的传统应用场景主要集中在工业控制、电源管理和音频设备等领域。它常被用于线性稳压电源的调整管、音频功率放大器的推动级，或作为继电器、小功率马达的驱动开关。其稳健的设计使其能够胜任对可靠性要求较高的中压开关电路以及需要一定功率处理能力的模拟信号放大电路。

• 型号:2N5415
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-39
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 200V 1A TO-39
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:200 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:50A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 50mA，10V
• 功率 - 最大值:1 W
• 频率 - 跃迁:15MHz
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐
• 供应商器件封装:TO-39
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2N5415是ST意法半导体生产的一款PNP型双极性功率晶体管，采用经典的TO-39金属罐封装。其核心电气参数定义了其应用边界：200V的高集射极击穿电压与1A的集电极电流容量，使其能够胜任中高压、中小电流的开关与放大任务。

该器件在典型工作条件下提供最小30倍的直流电流增益，并具备15MHz的过渡频率，适用于中低频段的信号处理。其最大功耗为1W，饱和压降特性明确，便于在开关电路中评估效率。作为一款已停产的经典器件，它代表了特定时期功率晶体管的技术标准，常见于传统的电源、驱动及音频放大电路中。