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2N6111

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 30V 7A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,2N6111的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N6111的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

2N6111是ST意法半导体推出的一款采用TO-220-3封装的大功率PNP双极性晶体管(BJT)。该器件采用经典的垂直结构设计,其核心架构旨在实现大电流下的可靠开关与线性放大。其集电极-发射极击穿电压(VCEO)为30V,集电极连续电流(IC)额定值高达7A,使其能够处理可观的功率负载。尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能参数,使其在特定应用领域仍具有参考价值,用户可通过ST代理商等渠道获取库存或替代方案信息。

该晶体管的一个关键特性是其强大的电流驱动能力,在集电极电流为3A、基极电流为7A的条件下,其集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))最大值为3.5V,这有助于在开关应用中降低导通损耗。其直流电流增益(hFE)在IC=3A、VCE=4V的条件下最小值为30,提供了适中的电流放大能力。器件最大功耗为40W,结合高达150°C的结温(TJ)工作范围,展现了良好的热性能与鲁棒性。

在接口与参数方面,2N6111采用标准的三引脚通孔TO-220封装,便于安装散热器以应对高功率应用。其集电极截止电流(ICEO)最大为1mA,反映了器件在关断状态下的漏电特性。过渡频率(fT)为4MHz,这定义了其适用于中低频范围的开关与放大场景。这些参数共同定义了器件的电气边界与应用限制。

基于其电气规格,2N6111典型应用于需要中压、大电流处理的功率控制环节。例如,在线性稳压电源、音频功率放大器的输出级,或电机驱动、继电器线圈驱动等开关控制电路中,它可作为功率开关或调整管使用。其设计能够满足工业控制、电源转换及部分消费电子设备中对功率晶体管的基本需求。

  • 型号:2N6111
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 30V 7A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3.5V @ 3A,7A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大值:40 W
  • 频率 - 跃迁:4MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取2N6111的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N6111是ST意法半导体生产的一款大功率PNP双极性晶体管,采用TO-220-3通孔封装。其核心卖点在于高达7A的集电极电流处理能力和30V的集射极击穿电压,能够胜任中压大电流的开关与放大任务。

器件在3A集电极电流下的最小直流电流增益为30,最大饱和压降为3.5V,平衡了驱动效率与导通损耗。最大功耗40W及150°C的结温工作范围,确保了其在功率应用中的热可靠性。4MHz的过渡频率使其主要定位于中低频功率控制领域。

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