STP6N65M2

STP6N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220通孔封装。该器件基于先进的MDmesh技术平台构建，这一平台通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在高压应用中实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）高达650V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，最大功率耗散为60W，展现了良好的电流处理与散热能力。其导通电阻在10V驱动电压、2A电流条件下典型值为1.35欧姆，确保了在导通状态下的高效率。同时，较低的栅极电荷（典型值9.8nC @ 10V）和输入电容（典型值226pF @ 100V）意味着它所需的驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。

在电气特性方面，其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力，而栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了宽裕的安全设计余量。该器件的工作结温（Tj）范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。对于需要可靠供应链保障的设计项目，可以通过官方ST授权代理渠道获取详细的技术支持与供货信息。

凭借650V的耐压等级和优化的开关特性，STP6N65M2非常适用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关拓扑、照明镇流器、工业电机控制以及辅助电源等应用场景。其TO-220封装形式便于安装在散热器上，为需要中等功率等级和高效散热的系统设计提供了成熟的解决方案。

• 型号:STP6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6N65M2是ST意法半导体基于MDmesh技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心电气参数包括650V的漏源击穿电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其动态性能的优化。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值为1.35欧姆，同时栅极电荷（Qg）典型值低至9.8nC，这种组合有效兼顾了传导损耗与开关损耗，有助于提升整体系统效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也确保了在苛刻环境下的稳定运行。