STW45NM50FD

作为ST意法半导体FDmesh系列中的一员，STW45NM50FD是一款采用先进垂直工艺技术构建的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。该器件采用TO-247-3通孔封装，为高功率密度应用提供了坚固的物理基础和高效的散热路径，确保在严苛环境下稳定工作。

该器件在500V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达45A的连续漏极电流（Tc条件下），展现了其处理高功率的能力。其关键特性在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、22.5A电流条件下典型值仅为100毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在120nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，使得开关频率可以进一步提升。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，高达417W（Tc）的功率耗散能力与-65°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应从工业控制到能源转换等多种环境。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，旨在改善开关行为的可控性。对于需要可靠高功率开关解决方案的设计者，可以通过授权的ST代理商获取该器件的详细技术资料与支持。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在相关应用领域仍具有重要的参考价值。

基于其高耐压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型的应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源转换系统的功率级。其稳健的设计使其成为处理高功率脉冲和连续负载的理想选择。

• 型号:STW45NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW45NM50FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）和45A连续漏极电流，具备处理高功率负载的能力。

其核心优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至100毫欧（@22.5A），能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大120nC @10V）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。器件支持高达417W的功率耗散，工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在苛刻环境下的应用可靠性。