STB16NS25T4

STB16NS25T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MESH OVERLAY工艺技术制造，封装于标准的D2PAK表面贴装封装内。该器件设计用于处理高达250V的漏源电压，并在25°C壳温条件下支持16A的连续漏极电流，其核心优势在于通过优化的单元结构实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。

该MOSFET的导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下典型值仅为280毫欧，这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。其栅极电荷（Qg）最大值控制在80nC（@10V），结合1270pF（@25V）的输入电容，确保了开关过程具有较快的转换速度，适用于频率较高的开关应用。器件栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V（@250A），具备良好的噪声抑制能力。

在热性能方面，STB16NS25T4的最大功率耗散能力为140W（基于壳温），结温最高可承受175°C，这使其能够在严苛的热环境下稳定工作。D2PAK封装提供了优异的散热路径，便于通过PCB铜箔面积进行热管理。作为ST意法半导体产品线的一员，用户可通过全球授权的ST代理获取相关的技术支持和供应链服务。

凭借250V的耐压和16A的电流处理能力，这款器件非常适合用于需要高效功率转换和控制的场合。其典型应用领域包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器中的逆变桥臂以及各类DC-DC转换器。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能在诸多现有工业与消费电子系统中仍被广泛采用。

• 型号:STB16NS25T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB16NS25T4是ST意法半导体基于MESH OVERLAY技术制造的N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心电气参数包括250V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。

器件的关键性能优势体现在其低导通特性与开关效率上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为280毫欧（@8A），有效降低了导通损耗。同时，最大80nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统频率响应。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等应用中追求高效率与可靠性的优选功率开关解决方案。