STB36NF06LT4

STB36NF06LT4是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造流程，在单位面积内实现了更低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的优异平衡。其核心架构旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（V_DSS）和30A的连续漏极电流（I_D）能力，为其在中等功率应用中的稳定运行提供了坚实的电压和电流余量。其导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）和15A漏极电流条件下，典型值仅为40毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，且仅需5V的驱动电压即可实现较低的导通电阻，使其能够与标准的3.3V或5V逻辑电平控制器轻松兼容，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，栅极总电荷（Q_G）在5V V_GS下典型值为17nC，结合660pF的输入电容（C_iss），共同决定了其快速的开关速度，有助于减少开关过渡过程中的损耗。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，该封装具有良好的热性能，结合高达70W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了其在苛刻环境下的可靠性与长寿命。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其优异的电气与热性能，STB36NF06LT4非常适用于需要高效率和高可靠性的功率管理场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性能够显著提升系统能效，而其稳健的封装和宽温工作范围则能满足工业自动化、汽车电子及消费类电子产品对元器件耐用性的严格要求。

• 型号:STB36NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB36NF06LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括60V的漏源电压（V_DSS）和30A的连续漏极电流（I_D），为中等功率应用提供了坚实的电气基础。

其关键优势在于极低的功率损耗，表现为在10V V_GS下仅40毫欧的最大导通电阻（R_DS(on)），以及优化的17nC栅极电荷（Q_G），这共同实现了高效的功率转换与快速的开关性能。器件支持5V逻辑电平驱动，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在多样化和严苛环境下的高可靠性。