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2N6547

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 15A TO-3
原厂封装:封装:TO-3
优势价格,2N6547的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2N6547的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

2N6547是一款由ST意法半导体设计生产的高功率NPN双极性晶体管,采用经典的TO-3金属封装,以其出色的功率处理能力和高耐压特性在工业领域建立了良好的声誉。该器件采用成熟的硅基工艺制造,其核心架构基于垂直结构设计,旨在优化电流传导路径和散热效率,确保在高电压、大电流工况下的稳定性和可靠性。其结构设计有效降低了饱和压降,并提供了良好的二次击穿安全工作区,这对于功率开关应用至关重要。

该晶体管的功能特点突出体现在其强大的功率处理能力上,集电极-发射极击穿电压高达400V,能够从容应对工业电源、电机控制等场合中常见的电压应力。同时,最大集电极电流为15A,最大功耗可达175W,使其能够直接驱动大功率负载。其直流电流增益在典型工作条件下具有稳定的表现,确保了良好的驱动控制线性度。尽管其跃迁频率为3MHz,对于高频开关应用可能不是最优选择,但对于大多数中低频的功率控制和线性放大应用而言,其性能完全满足要求,并且其坚固的TO-3封装提供了卓越的散热能力,结合高达200°C的结温,赋予了器件在恶劣热环境下的工作潜力。

在接口与参数方面,2N6547定义了清晰的电气边界。其集电极截止电流被控制在较低水平,有助于降低关断状态下的功耗。典型的Vce饱和压降参数保证了在完全导通时,器件自身的功率损耗维持在可接受范围内,从而提升整体系统效率。底座安装的TO-3封装不仅提供了机械强度,其金属外壳可直接与散热器连接,是实现高效热管理的物理基础。需要指出的是,该器件目前已处于停产状态,这意味着新的设计项目需考虑替代方案,但对于现有设备的维护和备件采购,通过正规的ST授权代理渠道,仍可确保获得原装正品,保障系统长期运行的可靠性。

基于其技术参数,2N6547的传统应用场景主要集中在需要处理高电压、大电流的工业电子设备中。它常被用作线性电源调整器中的串联调整管,或在线性音频功率放大器的输出级担任功率放大角色。此外,在电磁铁驱动、直流电机调速控制器、UPS不同断电源以及某些类型的电焊机功率级中,也能见到其身影。其设计初衷就是为那些对可靠性要求极高、对开关速度要求相对宽松的功率处理环节提供一个坚实、耐用的半导体解决方案。

  • 型号:2N6547
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 15A TO-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):5V @ 3A,15A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):12 @ 5A,2V
  • 功率 - 最大值:175 W
  • 频率 - 跃迁:3MHz
  • 工作温度:200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:TO-204AA,TO-3
  • 供应商器件封装:TO-3
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2N6547是ST意法半导体推出的一款高性能NPN功率双极性晶体管,采用TO-3金属封装。其核心卖点在于高达400V的集射极击穿电压和15A的集电极电流承载能力,最大功耗达175W,能够胜任严苛的高压大电流开关及放大任务。

该器件在5A、2V条件下的最小直流电流增益为12,并具有较低的饱和压降,确保了有效的功率控制与转换效率。其坚固的封装支持底座安装,便于散热器连接,结合200°C的最高结温,提供了出色的热可靠性。尽管目前已停产,但其在工业电源、电机驱动等传统功率应用领域曾是一款经典的高可靠性选择。

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