2ST5949

2ST5949是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性功率晶体管，采用经典的TO-3金属封装，专为高功率、高电压应用环境设计。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的掺杂和结构设计，实现了250V的高集射极击穿电压与17A的大电流承载能力的平衡。器件内部集成了大面积发射极和集电极结构，配合低热阻的金属外壳，确保了在高功率耗散下（最大250W）的稳定性和可靠性，结温最高可承受150°C，适合在严苛的热环境中持续工作。

该晶体管的功能特点突出体现在其强大的开关与线性放大能力上。其饱和压降在8A集电极电流和800mA基极电流条件下典型值仅为3V，这意味着在导通状态下的功率损耗较低，有助于提升整体系统效率。同时，器件在1A集电极电流和5V集射极电压下，直流电流增益（hFE）最小值达到80，提供了良好的电流驱动和信号放大能力。其25MHz的跃迁频率使其能够胜任中频开关应用，兼顾了功率处理与一定的速度响应。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。

在接口与参数方面，2ST5949采用底座安装方式，坚固的TO-3封装（也称为TO-204AA）提供了优异的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上。其集电极截止电流（ICBO）最大值控制在5A，表现出良好的关断特性，有助于降低待机功耗。这些电气参数共同定义了一个适用于工业和专业领域的高鲁棒性功率开关解决方案。

基于其高电压、大电流和高功率处理能力，2ST5949典型的应用场景包括工业电源系统中的线性稳压和开关调节、电机驱动控制器中的功率输出级、超声波设备以及大功率音频放大器的输出级。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和维修替换市场中，它仍然是一个关键的高可靠性功率器件选择，尤其适用于对长期稳定性和功率耐受性有严格要求的场合。

• 型号:2ST5949
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 250V 17A TO-3
• 系列:-
• 包装:袋
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:17 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:250 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 800mA，8A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:5A（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 1A，5V
• 功率 - 最大值:250 W
• 频率 - 跃迁:25MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:TO-204AA，TO-3
• 供应商器件封装:TO-3
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2ST5949是ST意法半导体生产的一款NPN双极性功率晶体管，采用TO-3金属封装。其核心电气参数定义了强大的功率处理能力，包括高达250V的集射极击穿电压、17A的连续集电极电流以及250W的最大功耗，适用于高功率应用。

该器件在提供高功率的同时，兼顾了良好的电气特性，例如在8A电流下饱和压降仅为3V，直流电流增益（hFE）最小值为80，并支持最高150°C的结温工作。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和大功率线性放大等场景中可靠的功率开关和放大元件。