2STBN15D100T4

2STBN15D100T4是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用经典的DPAK（TO-263AB）表面贴装封装。该器件内部集成了两个双极结型晶体管（BJT），以达林顿对形式连接，这种架构在单级放大中实现了极高的电流增益，同时保持了良好的功率处理能力。其设计旨在提供强大的电流驱动与开关性能，适用于需要高增益、大电流控制的功率电子应用。

该晶体管的核心优势在于其卓越的电流放大能力与稳健的电气特性。在3A集电极电流和3V集射极电压条件下，其直流电流增益（hFE）最小值高达750，这意味着极小的基极驱动电流即可控制较大的负载电流，显著简化了前级驱动电路的设计并降低了控制功耗。其集电极-发射极击穿电压（V_CEO）最大值为100V，集电极连续电流（I_C）最大值为12A，最大功耗为70W，这些参数共同定义了其在中高压、大电流应用中的可靠工作边界。此外，在4mA基极电流驱动4A集电极电流时，其饱和压降（V_CE(sat)）最大值仅为1.3V，较低的导通压降有助于减少器件在饱和导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。其结温（T_J）最高可承受150°C，确保了在高温环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，器件采用三引脚（TO-263-3）表面贴装形式，包含集电极、基极和发射极，其中集电极与封装背面的金属散热片电气相连，这为功率耗散提供了高效的导热路径。其集电极截止电流（I_CEO）最大值为100A，表明了器件在关断状态下具有良好的漏电流特性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST中国代理获取该产品的技术支持和库存信息。需要注意的是，该器件目前处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品。

基于其高增益、高耐压和大电流能力，2STBN15D100T4非常适合于各类功率开关与线性放大场景。典型应用包括电机驱动控制器中的预驱动或辅助驱动级、开关电源中的次级侧同步整流驱动、电感负载（如继电器、螺线管）的驱动电路，以及音频功率放大器的输出级。其DPAK封装兼容自动贴装工艺，并具备优异的散热性能，使其能够集成到对空间和热管理有要求的紧凑型工业控制设备、汽车电子模块及消费类电源产品中。

• 型号:2STBN15D100T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 100V 12A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.3V @ 4mA，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 3A，3V
• 功率 - 最大值:70 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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2STBN15D100T4是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-263AB（DPAK）表面贴装封装。该器件设计用于提供极高的电流增益和强大的功率处理能力，其集电极-发射极击穿电压达100V，连续集电极电流为12A，最大功耗70W。

其关键电气参数凸显了高效驱动特性：在3A, 3V条件下直流电流增益（hFE）最小值为750，能以微小基极电流控制大负载；在4mA基极电流驱动4A集电极电流时，饱和压降最大仅1.3V，有效降低了导通损耗。这些特性使其成为电机驱动、电源管理和负载开关等应用中需要高增益、大电流开关功能的理想选择。