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2STC4468

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 140V 10A TO-3P
原厂封装:封装:TO-3P
优势价格,2STC4468的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2STC4468的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

2STC4468是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性功率晶体管,采用经典的TO-3P金属封装,具备出色的功率处理能力和可靠性。该器件基于成熟的硅基工艺构建,其核心架构旨在实现高电压、大电流下的稳定线性放大与开关控制。内部结构经过优化,确保了载流子在高功率密度下的高效传输,同时通过精心的热设计和封装工艺,将结温(Tj)上限提升至150°C,为严苛的工业环境提供了宽裕的安全裕度。

该晶体管的功能特点突出体现在其强大的电气性能上。140V的集电极-发射极击穿电压(VCEO使其能够从容应对高压线路的瞬态冲击,而10A的连续集电极电流(IC能力则保证了其在大功率负载驱动中的核心地位。其饱和压降(VCE(sat))在7A电流下典型值仅为700mV,这意味着在导通状态下功耗较低,有助于提升整体系统的能效。此外,高达100W的集电极耗散功率(PC20MHz的过渡频率(fT相结合,使其既能胜任中低频功率放大,也能在要求一定开关速度的场合发挥作用。

在接口与关键参数方面,器件采用标准的三引脚(基极、集电极、发射极)通孔安装形式,便于在厚实的PCB或散热板上进行机械固定和电气连接。其直流电流增益(hFE)在3A,4V条件下最小值为70,提供了良好的电流驱动能力。极低的集电极截止电流(ICBO)确保了关断状态下的高阻抗特性,减少了静态功耗。对于需要采购或技术支持的工程师,可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关的技术资料和历史库存信息。

基于其稳健的性能参数,2STC4468非常适用于对可靠性和功率等级有较高要求的工业应用场景。典型应用包括线性电源的调整管、音频功率放大器的输出级、电机驱动控制器中的开关元件,以及UPS(不间断电源)和逆变器系统中的功率转换模块。尽管该产品目前已处于停产状态,但其在众多现有设备和经典设计方案中仍扮演着关键角色,是进行设备维护或同类产品选型时的重要参考基准。

  • 型号:2STC4468
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3P
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 140V 10A TO-3P
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):140 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 700mA,7A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大值:100 W
  • 频率 - 跃迁:20MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P
  • 想获取2STC4468的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2STC4468是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管,采用TO-3P封装,专为高功率应用设计。其核心电气参数包括140V的集电极-发射极击穿电压和10A的连续集电极电流,能够处理高达100W的功率,适用于严苛的功率开关与放大环境。

该器件在7A电流下表现出仅700mV的低饱和压降,有助于降低导通损耗,提升系统效率。其直流电流增益(hFE)最小值为70,并支持最高150°C的结温工作,确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。尽管产品状态为停产,但其参数组合使其在工业电源、音频放大及电机驱动等传统高功率领域仍具有参考价值。

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