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2STD1665T4

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 65V 6A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,2STD1665T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2STD1665T4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体(STMicroelectronics)推出的2STD1665T4是一款采用NPN结构的双极性功率晶体管(BJT),其核心设计旨在提供高效、可靠的功率开关与放大功能。该器件采用先进的半导体工艺,实现了优异的电流处理能力与热性能的平衡,其紧凑的DPAK封装内部集成了优化的硅片结构,确保了在大电流工作条件下的稳定性和长寿命。

该晶体管具备多项突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达65V,使其能够从容应对工业控制、电源转换等应用中常见的电压应力。最大连续集电极电流达到6A,配合仅380mV(在Ic=6A, Ib=300mA条件下)的低饱和压降VCE(sat),显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了系统整体效率。同时,器件在2A集电极电流和1V集射极电压下,直流电流增益(hFE)最小值高达150,这意味着它能够以较小的基极驱动电流有效控制较大的负载电流,简化了驱动电路的设计。

在接口与参数方面,2STD1665T4采用表面贴装型TO-252-3(DPAK)封装,这种封装具有良好的散热特性,其金属接片可直接焊接在PCB的铜箔上以帮助散热,使其最大功耗能力达到15W。其集电极-基极截止电流(ICBO)典型值极低,仅为50nA,体现了出色的关断特性。器件的工作结温(TJ)范围最高可达150°C,确保了在高温环境下的可靠运行。对于需要稳定供货与技术支持的项目,通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障供应链顺畅的可靠途径。

凭借其高电压、大电流、低饱和压降以及高电流增益的组合,这款晶体管非常适合应用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的初级侧开关、电机驱动电路中的H桥或半桥驱动器、线性稳压器的调整管,以及各类继电器、电磁阀或灯具的驱动控制器。其坚固的设计和宽温度工作范围也使其成为汽车电子、工业自动化设备中功率接口电路的理想选择。

  • 型号:2STD1665T4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 65V 6A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):65 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):380mV @ 300mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 2A,1V
  • 功率 - 最大值:15 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 想获取2STD1665T4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2STD1665T4是ST意法半导体生产的一款NPN型功率双极性晶体管。该器件设计用于处理高达6A的连续集电极电流,其集电极-发射极击穿电压额定值为65V,能够满足中等功率应用对电压应力的要求。

其核心优势在于优异的导通性能,在6A大电流下饱和压降仅为380mV,配合最低150@2A的高直流电流增益,有效降低了导通损耗并简化了驱动电路设计。器件采用TO-252-3(DPAK)表面贴装封装,最大功耗15W,最高工作结温150°C,为电源转换、电机驱动及各类负载开关应用提供了可靠、高效的解决方案。

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