STW18N60M2

STW18N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺改进，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够可靠地工作在高压离线式电源环境中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达13A，展现出较强的电流处理能力。一个关键的性能指标是其导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V、Id=6.5A的测试条件下，最大值仅为280毫欧，这意味着在导通期间由器件本身产生的功耗极低。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在21.5nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，STW18N60M2的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的范围，为驱动电路设计提供了充足的裕量。器件采用经典的TO-247通孔封装，这种封装形式拥有优异的热性能，其最大功率耗散可达110W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了其在严苛环境下的长期可靠性。用户可以通过官方授权的ST代理商获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关的综合性优势，STW18N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管，特别是在PC电源、服务器电源和工业电源的PFC（功率因数校正）电路及DC-DC转换级中。此外，它在电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等领域的逆变和开关电路中，也能发挥核心作用，有效提升系统能效和功率密度。

• 型号:STW18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW18N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），专为高压、中电流的功率开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了优异的导通电阻与开关性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为280毫欧，同时栅极电荷（Qg）被控制在21.5nC，这共同保障了较低的导通损耗与开关损耗，有助于提升整体电源转换效率。器件支持高达110W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的稳健运行。