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L6207N的图片

L6207N

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 全半桥驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC HALF BRIDG DRV 2.8A 24PWRDIP
原厂封装:封装:24-PowerDIP
优势价格,L6207N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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L6207N的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

L6207N是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的全集成式DMOS功率驱动器,采用24引脚PowerDIP封装,专为高效驱动感性负载而优化。其核心架构集成了四个独立的半桥输出级,每个通道均基于先进的垂直DMOS功率晶体管技术构建,这种结构允许对每个桥臂进行独立的PWM控制,为驱动双极步进电机或两个直流有刷电机提供了极大的灵活性。芯片内部集成了自举二极管电路,简化了高端栅极驱动所需的电荷泵设计,使得在单电源供电下驱动N沟道功率MOSFET成为可能,从而提升了系统集成度并减少了外部元件数量。

该器件具备多项突出的功能特点。其典型导通电阻仅为300毫欧,配合高达2.8A的连续输出电流与5.6A的峰值电流能力,能够显著降低导通损耗,提升整体能效。宽范围的工作电压(8V至52V)使其能够适应从低压到中压的多种应用场景。为确保系统可靠性,L6207N内置了全面的故障保护机制,包括可防止过载损坏的限流保护、监测芯片结温的超温关断以及确保功率级在安全电压下工作的欠压锁定(UVLO)功能。这些保护功能协同工作,为电机和驱动器本身提供了坚固的防护。

在接口与控制方面,L6207N通过标准逻辑电平输入信号进行控制,与微控制器或数字信号处理器能够轻松对接。其通孔安装的24-PowerDIP封装具有良好的机械强度和散热特性,适用于工业环境。尽管该型号目前已处于停产状态,但在许多既有设备和备件市场中仍有需求,用户可通过授权的ST中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。其参数指标,如-25°C至125°C的宽结温工作范围,确保了在苛刻工业环境下的稳定运行。

基于其强大的驱动能力和灵活的配置,L6207N主要应用于需要精密运动控制的领域。它非常适合驱动双极两相步进电机,实现精确定位;也可用于同时控制两个直流有刷电机的速度和方向,常见于打印机、扫描仪、自动化设备及机器人关节驱动中。此外,其半桥结构也可被配置用于开关模式稳压器等电源应用,展现了其作为一款多功能功率驱动芯片的价值。

  • 型号:L6207N
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:24-PowerDIP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 全半桥驱动器
  • 描述:IC HALF BRIDG DRV 2.8A 24PWRDIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 输出配置:半桥(4)
  • 应用:DC 电机,步进电机,稳压器
  • 接口:逻辑
  • 负载类型:电感
  • 技术:DMOS
  • 导通电阻(典型值):300 毫欧
  • 电流 - 输出/通道:2.8A
  • 电流 - 峰值输出:5.6A
  • 电压 - 供电:8V ~ 52V
  • 电压 - 负载:8V ~ 52V
  • 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 特性:自举电路
  • 故障保护:限流,超温,UVLO
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:24-PowerDIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:24-PowerDIP
  • 想获取L6207N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6207N是ST意法半导体推出的一款集成四路半桥的DMOS电机驱动器IC,采用24-PowerDIP通孔封装。该器件设计用于直接驱动感性负载,其核心优势在于高达2.8A的连续输出电流和5.6A的峰值电流能力,结合仅300毫欧的典型导通电阻,确保了高效的功率传输和较低的热损耗。

它支持8V至52V的宽电源电压范围,并集成了自举电路以简化高端驱动。器件内置了限流、超温保护和欠压锁定(UVLO)等多重故障保护功能,增强了系统在驱动DC电机、步进电机或应用于稳压器场景下的鲁棒性与可靠性。

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