M24C64-DRDW8TP/K

作为一款符合汽车级AEC-Q100标准的EEPROM存储器，M24C64-DRDW8TP/K采用了意法半导体成熟的非易失性存储技术。其核心架构基于8K x 8位的存储阵列组织，总容量为64Kb，通过高效的内部电荷泵和写控制逻辑，确保了数据在宽电压范围内的可靠存储与读取。该芯片设计注重在严苛环境下的数据完整性，其内部集成了完善的写保护机制和状态寄存器，能够有效防止在电源波动或异常操作下的数据损坏。

该器件支持标准的两线制IC串行接口，最高时钟频率可达1MHz，实现了高速的数据传输。其访问时间典型值为450ns，配合页写操作模式，能够显著提升多字节连续写入的效率，单次页写周期时间典型值为4ms。一个突出的特性是其宽电压工作范围（1.8V至5.5V），这使得它能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种供电环境，极大地增强了设计的灵活性。对于需要长期稳定存储关键参数的应用，其非易失特性与长达百万次的擦写周期及超过40年的数据保存能力构成了坚实保障。

在接口与电气参数方面，该芯片提供了完整的硬件写保护引脚（WC），允许通过外部信号锁定存储器，防止误写。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C，完全满足汽车电子及工业领域对高低温可靠性的严苛要求。器件采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装，支持卷带（TR）和剪切带（CT）包装，适用于自动化贴片生产。用户可以通过ST中国代理获取完整的技术支持、样片以及批量供货服务。

凭借其高可靠性、宽电压兼容性及扩展的温度范围，M24C64-DRDW8TP/K非常适合应用于汽车电子系统，如车身控制模块（BCM）、仪表盘、传感器数据记录以及事件数据记录器（EDR）。此外，在工业自动化、智能电表、医疗设备及需要参数存储的消费电子产品中，它也是存储配置信息、校准数据、用户设定或日志文件的理想选择，为系统提供了稳定、持久且易于访问的非易失存储解决方案。

• 型号:M24C64-DRDW8TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:64Kb
• 存储器组织:8K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 想获取M24C64-DRDW8TP/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C64-DRDW8TP/K是ST意法半导体推出的一款64Kb容量EEPROM存储器，采用IC串行接口，最高通信速率达1MHz。该器件组织为8K x 8位，提供450ns的快速访问时间，并支持高效的页写操作，典型页写周期为4ms。

其核心优势在于1.8V至5.5V的宽工作电压范围以及-40°C至105°C的扩展工作温度，符合AEC-Q100汽车级标准，确保了在恶劣电气与环境条件下的高可靠性。器件采用8-TSSOP封装，支持表面贴装，并提供卷带与剪切带包装选项，适用于要求高耐用性、非易失数据存储的各类汽车电子与工业应用。