M24M02-DWMN3TP/K

作为ST意法半导体（STMicroelectronics）Automotive系列存储器产品线的重要成员，M24M02-DWMN3TP/K是一款基于成熟EEPROM技术构建的2Mb非易失性存储器芯片。其核心架构采用256K x 8的组织形式，通过高效的IC串行接口与主控制器通信，该接口支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及高达1MHz的高速模式，为系统提供了灵活且节省引脚的数据交换通道。芯片内部集成了地址寄存器、数据缓冲区和控制逻辑，确保了读写操作的可靠性与时序的精确性。

该器件具备多项突出的功能特性。其宽电压供电范围（2.5V至5.5V）使其能够轻松兼容3.3V和5V系统，增强了设计的通用性。在数据保存方面，它承诺了长达40年的数据保存期限，并支持高达400万次的擦写周期，满足了高可靠性应用对数据持久性的严苛要求。其页写模式允许一次性写入多达256字节的数据，配合仅4ms的典型写周期时间，显著提升了批量数据存储的效率。此外，450ns的快速访问时间确保了数据读取的低延迟。

在接口与关键参数上，M24M02-DWMN3TP/K展现了高度的稳健性。它符合AEC-Q100汽车级标准，工作温度范围覆盖-40°C至125°C的严苛环境，能够承受汽车电子、工业控制等场景下的温度冲击与振动。其采用8引脚SOIC封装，支持表面贴装，便于集成到空间受限的PCB设计中。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取该产品及相关服务。

基于其高可靠性、宽温操作和紧凑封装，该芯片非常适合应用于对数据安全和环境适应性要求极高的领域。在汽车电子中，它常用于存储车辆配置参数、里程信息、事件数据记录（EDR）以及传感器校准数据。在工业自动化领域，它可作为PLC、智能仪表和传感器模块的配置存储器。此外，在消费电子、医疗设备及通信模块中，它也能为系统提供稳定、非易失的数据存储解决方案，是工程师在设计高可靠性系统时的优选存储器件。

• 型号:M24M02-DWMN3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 2MBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:2Mb
• 存储器组织:256K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24M02-DWMN3TP/K是ST意法半导体推出的一款2Mb（256K x 8）串行EEPROM存储器，采用IC接口，通信速率最高可达1MHz。该器件提供2.5V至5.5V的宽电压工作范围，并支持标准的页写操作，典型写周期时间为4ms，访问时间为450ns，在数据读写效率和功耗之间取得了良好平衡。

该芯片严格遵循AEC-Q100标准，具备汽车级品质，可在-40°C至125°C的极端温度范围内稳定工作，数据保存期限长达40年，擦写周期高达400万次。其8-SOIC表面贴装封装形式便于集成，主要面向需要高可靠性和长寿命数据存储的汽车电子、工业控制及高端消费类应用。