STW40N60M2

STW40N60M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和沟槽栅技术，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高频开关应用中的快速响应能力。这种设计使得芯片在承受高达600V的漏源电压时，依然能保持出色的电气性能和可靠性。

该MOSFET的关键特性体现在其优异的动态与静态参数上。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、17A漏极电流条件下典型值仅为88毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在57nC，结合较低的输入电容，有助于减少开关过程中的能量损失，并降低对栅极驱动电路的要求，简化系统设计。器件采用坚固的TO-247通孔封装，提供了高达250W（Tc）的功率耗散能力，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，STW40N60M2的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，为设计提供了灵活性。其连续漏极电流在壳温25°C时可达34A，能够处理较高的功率等级。这些参数共同定义了其在高效功率转换中的核心价值。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借600V的耐压等级和优异的开关特性，这款器件非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC变换器、不间断电源（UPS）系统、电机驱动与变频器，以及电焊机等高性能功率电子设备。在这些应用中，它能够有效提升整机效率，减少散热需求，并增强系统的整体可靠性。

• 型号:STW40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至88毫欧（@10V，17A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括34A（Tc）的高连续漏极电流、仅57nC的栅极电荷（Qg）以及250W（Tc）的强大功率处理能力。这些特性共同确保了器件在高频开关电源、电机驱动和工业功率转换系统中，能够实现高效率、高可靠性的运行，并简化热管理设计。