2STR1160

2STR1160是ST意法半导体推出的一款NPN型双极性晶体管（BJT），采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装。其核心架构基于成熟的硅平面工艺，提供了优异的电气性能和可靠性。该器件设计用于在高达60V的集射极电压下工作，集电极电流能力达到1A，使其能够在多种中压、中电流的开关与放大电路中稳定运行。

该晶体管的一个关键特性是其出色的直流电流增益（hFE），在500mA集电极电流和2V集射极电压条件下，最小值可达180，这确保了在放大应用中能够提供良好的信号放大效率与线性度。同时，其饱和压降（Vce(sat)）在100mA基极电流和1A集电极电流时最大仅为430mV，这一低饱和压降特性显著降低了开关状态下的导通损耗，提升了整体能效，特别适用于需要高效功率切换的场合。

在接口与参数方面，2STR1160的集电极截止电流（ICBO）最大值为100nA，体现了其良好的关断特性，有助于降低待机功耗。器件最大功耗为500mW，结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了其稳健的热性能，能够在相对严苛的环境下保持稳定。其标准的SOT-23封装便于自动化贴装，节省PCB空间，适合高密度电路板设计。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

得益于其60V/1A的耐压与电流能力、高电流增益以及低饱和压降，这款晶体管广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子中的辅助电源管理、电机驱动、负载开关、线性稳压器以及信号放大等电路模块。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计或备件供应中，它仍然是一个经过验证的可靠选择，尤其适合对成本、空间和基础性能有综合要求的应用场景。

• 型号:2STR1160
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:430mV @ 100mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:180 @ 500mA，2V
• 功率 - 最大值:500 mW
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 想获取2STR1160的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2STR1160是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心电气参数包括60V的集射极击穿电压和1A的集电极电流容量，适用于中压范围的开关与放大电路。

该器件具备高直流电流增益（hFE最小值180 @ 500mA, 2V）和低饱和压降（Vce(sat)最大430mV @ 100mA, 1A），这确保了高效的信号放大能力和较低的开关导通损耗。最大功耗500mW和150°C的结温工作范围，为其在紧凑空间内的可靠运行提供了保障。