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A1P35S12M3

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 1
原厂封装:封装:ACEPACK 1
优势价格,A1P35S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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A1P35S12M3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

A1P35S12M3是ST意法半导体推出的一款紧凑型三相IGBT功率模块,采用先进的ACEPACK 1封装,专为高功率密度和高效能应用而设计。该模块集成了三个独立的沟槽型场截止IGBT及其对应的续流二极管,构成一个完整的三相反相器桥臂。这种集成化设计不仅显著减少了外部布线和寄生参数,还优化了热管理路径,使得模块在紧凑的体积内能够稳定处理高达250W的功率。其内部采用的低电感布局和优化的端子设计,有助于抑制开关过程中的电压过冲和振荡,提升系统的电磁兼容性。

该模块的核心优势在于其出色的电气性能与可靠性。1200V的集射极击穿电压使其能够从容应对工业电机驱动、不间断电源等场合中常见的母线电压波动。35A的最大集电极电流仅2.45V @ 15V, 35A的饱和压降相结合,意味着在导通期间能够实现极低的功率损耗,从而提升整体系统效率。模块内部集成了负温度系数热敏电阻,为系统提供了直接、可靠的温度监控点,便于实现过温保护和精准的热管理。其标准电平输入接口兼容主流驱动IC,简化了外围驱动电路的设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

在接口与参数方面,该模块采用底座安装方式,便于与散热器紧密贴合,确保热量高效导出。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,能够适应严苛的工业环境。2154pF的输入电容特性要求驱动电路提供合适的栅极驱动能力,以实现快速且可控的开关。极低的集电极截止电流(最大值100A)保证了在关断状态下的低功耗。这些参数共同定义了一个高效、坚固且易于使用的功率开关解决方案。

基于其性能特点,A1P35S12M3非常适用于中小功率的变频驱动领域,例如工业泵、风扇、压缩机以及自动化设备中的伺服驱动器。同时,它也是紧凑型光伏逆变器、不同断电源和商用空调变频器等设备的理想选择。其高集成度和可靠性有助于工程师简化系统设计,缩短开发周期,并构建出体积更小、效率更高、寿命更长的电力电子装置。

  • 型号:A1P35S12M3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ACEPACK 1
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 1
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A
  • 功率 - 最大值:250 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,35A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:ACEPACK 1
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A1P35S12M3是ST意法半导体基于ACEPACK 1封装技术开发的一款三相IGBT功率模块。该模块集成了三个采用沟槽型场截止技术的IGBT单元,构成一个完整的1200V/35A三相反相器桥臂,最大处理功率可达250W。

其技术亮点包括低至2.45V的饱和压降,能有效降低导通损耗;模块内部集成NTC热敏电阻,便于实现精确的温度监控与保护。宽泛的工作结温范围(-40°C ~ 150°C)和紧凑的模块化设计,使其成为追求高功率密度与高可靠性的中小功率变频和逆变应用的优选解决方案。

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