STD155N3LH6

STD155N3LH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，其核心在于通过精细的单元几何结构和创新的沟槽栅极工艺，在单位面积内实现了更高的电流密度和更低的导通电阻。这种架构不仅提升了功率处理能力，还有效控制了寄生电容，为高效率的功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的电气参数上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至3毫欧（在40A条件下），这一数值对于30V电压等级的器件而言极具竞争力，直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为80nC（@5V），结合适中的输入电容（C_iss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟得以显著降低，特别适合高频开关应用。其阈值电压（V_GS(th)）设计合理，与标准逻辑电平驱动兼容性好，便于电路设计。

在接口与参数方面，STD155N3LH6具备30V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达80A的连续漏极电流（I_D，基于壳温T_C），确保了在严苛工况下的可靠工作余量。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±20V，提供了较强的抗栅极噪声能力。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能，最大功率耗散可达110W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至175°C，满足工业级应用的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品。

凭借低导通电阻、快速开关特性和稳健的封装，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压拓扑）、电机驱动控制电路中的H桥或半桥开关，以及各类需要高效功率开关的电池管理系统（BMS）和负载开关。在这些应用中，它能够有效降低系统温升，提升整体能效和可靠性。

• 型号:STD155N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD155N3LH6是意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术，封装为D2PAK。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS下仅3毫欧（@40A），配合80nC的低栅极电荷，实现了优异的传导与开关效率平衡。

该器件额定值为30V V_DSS和80A连续漏极电流（T_C），具备±20V的栅极电压耐受能力和高达175°C的工作结温，确保了在严苛环境下的稳定性和鲁棒性。这些特性使其成为同步整流、高频DC-DC转换及电机驱动等高效能功率开关应用的理想选择。