A2C35S12M3-F

作为ST意法半导体ACEPACK2系列中的一款高性能功率模块，A2C35S12M3-F采用了先进的沟槽型场截止（Trench Field Stop）IGBT技术。这种架构在保证高阻断电压的同时，显著优化了导通损耗与开关损耗的平衡，是实现高效率功率转换的核心基础。模块内部集成了一个完整的三相反相器桥臂，并集成了制动（Brake）IGBT，为电机驱动等需要快速制动的应用提供了便利的硬件支持。

该模块的功能特点突出体现在其高集成度与可靠性设计上。其集射极击穿电压高达1200V，最大集电极电流为35A，最大功率处理能力为250W，能够满足中功率应用的需求。在典型工作条件下（Vge=15V， Ic=35A），其饱和压降Vce(on)最大值仅为2.45V，这意味着在导通状态下的功耗较低，有助于提升系统整体效率并减少散热压力。模块内部集成了NTC热敏电阻，为系统实时监测模块结温、实现过温保护提供了直接且可靠的信号，增强了系统运行的鲁棒性。

在电气接口与参数方面，该模块的输入部分集成了三相桥式整流器，进一步简化了前端电路设计。其输入电容（Cies）在Vce=25V时为2154pF，这一参数对于驱动电路的设计和开关速度的优化具有重要参考价值。集电极截止电流最大值控制在100A的极低水平，体现了其优越的关断特性。模块采用底座安装形式，便于与散热器紧密贴合，其宽泛的工作结温范围（-40°C ~ 150°C TJ）确保了其在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要获取官方技术支持和样品服务的开发者，可以通过授权的ST代理商进行咨询与采购。

基于其技术规格，A2C35S12M3-F非常适用于工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）以及各类中功率电机驱动系统。其集成的制动功能和三相逆变桥配置，使其在需要快速减速或精准控制的场合，如自动化机械臂、电梯控制、新能源车用辅助电机驱动等领域，都能发挥关键作用，是实现紧凑、高效、可靠功率解决方案的理想选择。

• 型号:A2C35S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 2
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
• 功率 - 最大值:250 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，35A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 2
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A2C35S12M3-F是ST意法半导体推出的一款1200V/35A IGBT功率模块，隶属于ACEPACK2封装系列。它采用沟槽型场截止技术，集成了一个完整的三相反相器桥与制动IGBT，最大功率处理能力为250W，其低至2.45V @15V, 35A的导通压降有效降低了导通损耗。

模块内部集成NTC热敏电阻，便于温度监控与保护。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，并采用底座安装方式，确保了在工业环境下的高可靠性与散热效能。该模块设计用于简化中功率变频驱动、伺服系统和UPS的电源设计，提供高集成度的解决方案。