PD84008S-E

作为一款专为射频功率放大应用设计的N通道MOSFET，PD84008S-E体现了ST意法半导体在射频功率器件领域的技术积累。该器件采用先进的半导体工艺和优化的内部架构，旨在870MHz的中心频率下提供高效的功率放大能力。其核心设计聚焦于在高频工作状态下实现高增益、高线性度与良好的功率处理能力的平衡，内部结构经过特别优化以降低寄生参数，确保信号在放大过程中的完整性。

在功能表现上，该器件在7.5V的测试电压和250mA的测试电流条件下，能够提供高达16.2dB的功率增益，这使其在信号链前端能够有效提升弱信号的强度。同时，其2W的功率输出能力和7A的额定电流值，表明它能够驱动后续电路并处理一定的功率等级，适用于需要中等功率推动的场景。其25V的额定电压也为工作稳定性提供了一定的余量。值得注意的是，这款器件采用了PowerSO-10封装并带有裸露的底部焊盘，这种封装形式不仅有利于紧凑的电路板布局，其裸露焊盘设计更能显著提升器件的散热性能，确保在高功率运行时核心温度的稳定。

从接口与参数适配性来看，PD84008S-E的电气参数明确指向了特定频段的射频应用。其870MHz的工作频率使其天然适配于诸如900MHz ISM频段、部分移动通信设备以及专用无线通信系统等场景。工程师在设计匹配网络时，需要依据其给出的S参数（虽未在基础参数中列出，但通常由详细数据手册提供）进行精确调谐，以最大化其性能潜力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取详细的技术资料和库存信息，尽管该产品目前已处于停产状态，但在一些现有系统维护或特定设计中仍有其应用价值。

综合其技术特性，PD84008S-E非常适合应用于对增益和效率有明确要求的射频前端模块。典型的应用场景包括UHF频段的便携式无线电设备、无线基础设施的驱动级放大器、射频识别（RFID）读写器的发射链路以及各类工业、科学和医疗（ISM）频段设备。在这些应用中，它能够作为关键的前级或驱动级放大元件，将信号提升至足够的功率水平，以便进行后续处理或进行有效辐射。其设计平衡了性能与封装实用性，是特定频段下实现可靠射频放大功能的一个经典解决方案。

• 型号:PD84008S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:870MHz
• 增益:16.2dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 想获取PD84008S-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

PD84008S-E是ST意法半导体推出的一款射频功率N沟道MOSFET，采用PowerSO-10RF封装。该器件核心定位为在870MHz频率下提供高效的功率放大功能，其关键参数包括16.2dB的高功率增益和2W的功率输出能力，旨在提升射频前端的信号驱动强度。

在7.5V测试电压下，器件展现出良好的工作特性，7A的额定电流和25V的额定电压确保了其在中等功率应用中的稳定性和可靠性。裸露底盘的PowerSO-10封装设计优化了散热性能，适合对空间和热管理有要求的紧凑型射频电路设计。