STW21N65M5

STW21N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极架构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一指标是衡量开关损耗与导通损耗综合性能的关键。其核心设计旨在降低开关过程中的能量损耗，同时确保在高温工作环境下的稳定性和可靠性，这对于提升整体电源系统的效率至关重要。

该器件具备650V的漏源击穿电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）能力，为其在高压、大电流应用中的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、8.5A电流条件下典型值仅为190毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关并减少驱动电路的负担，从而优化高频开关性能。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，增强了抗干扰能力。对于需要技术支持与稳定供应的项目，可以咨询专业的ST中国代理获取详细的产品资料与设计支持。

在电气参数方面，STW21N65M5在25°C管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为125W，结合其高达150°C的结温（Tj）额定值，展现了出色的热管理潜力。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了在典型驱动电压下的可靠开启与关断。器件采用工业标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在需要高效散热的功率板上。

得益于其高压、低损耗的特性组合，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的离线开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和DC-DC变换器主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等功率转换领域。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定批次的系统设计中，它仍然是一个经过市场验证的高性能解决方案。

• 型号:STW21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
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STW21N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的电气基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至190毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大50nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持高达150°C的结温工作，并具备125W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。