BAT30-09P6FILM

BAT30-09P6FILM是ST意法半导体推出的一款采用SOT-666（SOT-563）微型封装的双肖特基二极管阵列。该器件集成了两个独立的肖特基势垒二极管，每个二极管在直流条件下的平均整流电流（Io）可达300mA，其核心优势在于极低的正向压降，在300mA的额定电流下，典型正向压降（Vf）仅为530mV。这一特性使其在低压、高效率的能量转换路径中能够显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

该芯片采用先进的肖特基工艺，具备快速开关特性，其恢复时间满足快速恢复（≤ 500ns，Io > 200mA）的要求，适用于需要高频切换的电路环境。在反向特性方面，其最大直流反向电压（Vr）为30V，且在30V反向电压下的典型反向漏电流（Ir）低至5A，表现出良好的反向阻断能力。其工作结温最高可达150°C，确保了在宽温度范围内的可靠性与稳定性。作为一款表面贴装器件，其超紧凑的封装尺寸非常适合高密度PCB布局，为空间受限的便携式或微型化设备设计提供了理想的解决方案。用户可通过授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

从接口与参数角度看，该器件两个二极管相互独立，为电路设计提供了高度的灵活性，可用于构建独立的整流、钳位或逻辑电平转换通道。其电气参数，包括低Vf、快速恢复和低漏电流，共同构成了其在低压、高效率应用中的核心竞争力。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量项目或对功耗与尺寸有严苛要求的领域仍具参考价值。

在应用场景上，BAT30-09P6FILM主要面向需要高效率电源管理和信号处理的便携式电子设备。其典型应用包括手机、平板电脑、可穿戴设备中的DC-DC转换器次级整流、极性保护以及低压差线性稳压器（LDO）的输入保护。此外，其快速开关特性也使其适用于数据线中的高速信号钳位和RF模块中的检波电路。其微型封装尤其契合现代电子产品向轻薄短小发展的趋势，是工程师在优化板级空间与能效时曾经重点考虑过的元器件选项之一。

• 型号:BAT30-09P6FILM
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-666
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARR SCHOT 30V 300MA SOT666
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管配置:2 个独立式
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:300mA（DC）
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 300 mA
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 30 V
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-666
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BAT30-09P6FILM是ST意法半导体生产的一款表面贴装双肖特基二极管阵列，采用超紧凑的SOT-666封装。该器件集成了两个独立的二极管，每个二极管可承受300mA的直流平均整流电流，并在该电流下提供低至530mV的典型正向压降，旨在最大限度地减少导通损耗。

其核心电气特性包括30V的最大反向电压、5A@30V的低反向漏电流以及快速恢复（≤500ns）的开关性能。这些参数使其特别适用于对效率和空间有严格要求的低压、高频应用场景，例如便携式设备的电源管理和信号调理电路。