STD35NF3LLT4

STD35NF3LLT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为在紧凑空间内实现高效率、高电流处理能力而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过先进的沟槽栅极工艺，在保持快速开关性能的同时，显著降低了传导损耗。

该MOSFET的漏源电压（V_DSS）额定值为30V，适用于低压环境。其关键特性在于出色的电流处理能力，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）可达35A，能够应对高负载应用。其导通电阻极低，在10V栅源电压（V_GS）和17.5A漏极电流条件下，典型R_DS(on)最大值仅为19.5毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。驱动特性方面，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，且栅极总电荷（Q_g）在5V V_GS下典型值仅为17nC，结合约800pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开通与关断速度，有利于高频开关应用并降低驱动电路的设计复杂度。其栅源电压可承受±16V，提供了良好的驱动鲁棒性。

在热性能方面，该器件最大功率耗散为50W（T_C），并且具备宽泛的工作结温（T_J）范围，从-55°C延伸至175°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。其DPAK（TO-252）封装是工业标准，具有良好的散热能力和机械强度，便于自动化生产焊接。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品的技术支持和库存信息。

综合其参数特性，STD35NF3LLT4非常适合于需要高效率功率转换和控制的场景。典型应用包括低压DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类电源中的负载开关。其优异的R_DS(on)和开关特性使其在空间受限且对能效要求高的设计中成为理想选择，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统和备件需求中仍具有重要价值。

• 型号:STD35NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD35NF3LLT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用DPAK表面贴装封装。该器件设计用于低压、高电流应用，其核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力。

其漏源电压（V_DSS）为30V，在壳温条件下连续漏极电流（I_D）高达35A。关键参数显示，在10V V_GS和17.5A I_D条件下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为19.5毫欧，同时栅极电荷（Q_g）低至17nC（@5V），这共同实现了高效率的功率传输和快速的开关性能。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。