STP7NM50N

STP7NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，在硅片层面集成了独特的单元设计和工艺，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过降低单元密度和优化电荷分布，有效控制了寄生电容，从而在高压开关应用中显著改善了动态性能。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss），能够可靠地工作在高压离线式电源环境中。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下典型值为780毫欧，这一特性得益于MDmesh II技术对导通损耗的有效抑制。同时，器件具有较低的栅极电荷（Qg，最大值12nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值400pF @ 50V），这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升整体转换效率，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的安全工作裕度。

在电气参数方面，STP7NM50N在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）额定值为5A，最大功率耗散为45W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力和明确的导通/关断状态。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。对于需要可靠货源和完整技术支持的客户，可以咨询授权的ST一级代理获取相关服务。

凭借其高压能力和优化的开关特性，该器件主要面向功率转换领域的中等功率应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主转换级、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的DC-AC逆变环节。其设计在效率、可靠性和成本之间取得了良好的折衷，是相关高压开关电路设计的经典选择之一。

• 型号:STP7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其技术亮点在于MDmesh II技术带来的低导通电阻（Rds(on)典型值780mΩ @ 10V, 2.5A）与低栅极电荷（Qg最大值12nC）的出色结合。这一特性组合能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提升电源系统的整体效率。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。