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T1235T-8I

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNSTR 800V 12A TO220AB
原厂封装:封装:TO-220AB 绝缘
优势价格,T1235T-8I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T1235T-8I的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T1235T-8I是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC),隶属于其晶闸管-TRIAC系列,采用标准的TO-220-3通孔封装。该器件设计用于在交流电路中实现高效的功率控制与开关功能,其核心架构基于先进的半导体工艺,集成了优化的门极触发与维持电路,确保了在宽温度范围(-40°C至125°C结温)内稳定可靠的性能表现。作为一款无缓冲器(Snubberless)型双向可控硅,它通过内部结构优化,有效抑制了电压瞬变带来的应力,简化了外围电路设计,提升了系统整体鲁棒性。

该器件具备800V的高断态重复峰值电压(VDRM),能够承受严苛的线路电压波动,为工业级应用提供了充足的安全裕量。其通态有效电流(IT(RMS))最大值为12A,结合高达95A(50Hz)的非重复浪涌电流承受能力,使其能够从容应对电机启动、白炽灯冷态接入等场合产生的瞬时大电流冲击。在触发特性方面,最大门极触发电压(VGT)仅为1.3V,触发电流(IGT)最大35mA,这一低电平触发特性使其能够与微控制器、逻辑电路等低压控制信号直接或通过简易驱动电路接口,极大地简化了控制系统的设计。同时,最大40mA的保持电流(IH)确保了在触发后,即使在负载电流较小的情况下也能维持稳定导通。

在接口与参数层面,T1235T-8I采用单路配置,标准的TO-220封装便于安装散热器,以满足中高功率应用下的散热需求。其优异的电气参数组合,包括低触发需求、高电压阻断能力和强浪涌耐受性,共同构成了其核心竞争优势。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料、样品支持与供应链服务,确保产品设计的合规性与量产稳定性。

凭借其稳健的性能参数,T1235T-8I非常适用于需要可靠交流功率调节与开关控制的各类场景。典型应用包括家用电器(如调光器、风扇调速器、咖啡机、取暖器)、工业控制(小型电机控制器、固态继电器、电磁阀驱动)以及自动化设备中的交流负载开关。其设计平衡了性能、成本与可靠性,是工程师在开发中功率交流控制解决方案时的优选器件之一。

  • 型号:T1235T-8I
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 绝缘
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNSTR 800V 12A TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):95A,90A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
  • 想获取T1235T-8I的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T1235T-8I是ST意法半导体生产的一款12A、800V无缓冲器型三端双向可控硅(TRIAC),采用TO-220-3封装。该器件专为交流线路的功率控制和开关应用而设计,具备优异的电气特性与可靠性。

其核心优势在于高达800V的断态电压和12A的通态电流能力,能够承受严苛的工业环境。同时,极低的门极触发需求(Vgt最大1.3V,Igt最大35mA)使其易于由低压逻辑电路直接驱动,简化了系统设计。此外,强大的浪涌电流承受力(Itsm达95A)确保了在电机启动等瞬态条件下的稳定运行。

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