SMBJ58CA-TR

SMBJ58CA-TR是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用表面贴装SMB（DO-214AA）封装。该器件基于先进的硅雪崩击穿技术构建，其核心是一个双向、单通道的TVS结构，能够对正负两个方向的瞬态过电压进行有效箝位。其设计旨在为58V工作电压线路提供可靠的保护，通过快速响应和能量吸收，将危险的电压尖峰限制在安全范围内，从而保护下游的敏感电子元器件免受损坏。

该TVS二极管的关键特性在于其优异的浪涌处理能力和精确的电压保护水平。其标称反向关断电压为58V，最小击穿电压为64.4V，确保了在正常工作电压下的高阻抗状态。在承受标准10/1000s波形、峰值高达6.7A的浪涌电流冲击时，其箝位电压最大值被严格控制在93.6V以下，提供了低箝位比，能更有效地限制过压。其峰值脉冲功率处理能力达到600W，展现了强大的瞬态能量吸收性能。此外，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面，该器件为双向TVS，适用于交流或极性不定的直流线路保护。其采用标准的SMB封装，便于自动化贴装，符合现代电子制造流程。除了核心的电压电流参数，其响应时间极快，达到皮秒级，能瞬间响应ESD（静电放电）、雷击感应浪涌以及电感负载切换引起的瞬态过压。这些特性使其成为保护通信接口、电源总线、数据线及各类I/O端口的理想选择。

得益于其通用型的保护设计，SMBJ58CA-TR广泛应用于工业自动化、汽车电子、通信基础设施、消费电子及电源适配器等领域。它常被部署在24V或48V工业总线、以太网供电（PoE）设备、车载网络以及AC-DC电源的次级侧，为MOSFET、IC、连接器等关键部件构筑一道坚固的防线，提升整个系统的电磁兼容性（EMC）和长期运行可靠性。

• 型号:SMBJ58CA-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SMB
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMB
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:齐纳
• 单向通道:-
• 双向通道:1
• 电压 - 反向断态（典型值）:58V
• 电压 - 击穿（最小值）:64.4V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:93.6V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):6.7A
• 功率 - 峰值脉冲:600W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-214AA，SMB
• 供应商器件封装:SMB
• 想获取SMBJ58CA-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SMBJ58CA-TR是ST意法半导体生产的一款600W峰值功率、双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用SMB封装。该器件设计用于保护工作电压约为58V的电路，其核心价值在于提供精确且高效的过压保护。

其关键参数包括58V的反向关断电压，在承受6.7A的峰值脉冲电流时，能将危险电压箝位在93.6V以下，实现了有效的电压限制。宽达-55°C至150°C的工作结温范围确保了其在各种环境条件下的可靠性。这些特性使其成为抑制浪涌、ESD及其他电压瞬变的通用型解决方案。