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BAT47

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SCHOTTKY 20V 350MA DO35
原厂封装:封装:DO-35
优势价格,BAT47的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BAT47的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST意法半导体推出的BAT47是一款采用轴向DO-35封装的肖特基势垒二极管。其核心架构基于金属-半导体结原理,相较于传统的PN结二极管,肖特基二极管利用金属与半导体接触形成的势垒进行整流,这一物理特性决定了其独特的性能表现。该结构使其在正向导通时具有更低的正向压降,同时在反向恢复过程中表现出极快的开关速度。

得益于肖特基结的固有特性,该器件在正向导通时,正向压降(Vf)典型值仅为1V @ 300mA,这有助于在低电压、大电流的应用中显著降低导通损耗,提升系统效率。其反向恢复时间极短,通常小于500纳秒,属于快速恢复二极管范畴,这使得它在高频开关电路中能够有效减少开关损耗和噪声干扰。此外,其反向漏电流在20V反向电压下仅为10A,表现出良好的反向阻断特性,而结电容在0V偏置、1MHz测试条件下低至20pF,进一步保障了其在射频或高速信号处理应用中的性能。

在电气参数方面,BAT47定义了明确的工作边界:最大持续反向电压(Vr)为20V,平均整流电流(Io)为350mA。其标准化的轴向DO-35通孔封装,便于在传统PCB板上进行手工或波峰焊接,具有良好的机械强度和散热特性。尽管该产品目前已处于停产状态,但在一些存量设计或对成本敏感的应用中,通过ST代理商渠道仍可能获取库存。其参数组合较低的正向压降、快速的开关速度以及适中的电压电流等级使其在特定的应用场景中依然具有实用价值。

该二极管典型的应用场景包括低压电源的整流、高频DC-DC转换器中的续流或保护二极管、信号检波与钳位电路,以及作为防止电源反接的极性保护器件。在这些场景中,其快速恢复特性和低导通压降的优势得以充分发挥,有助于优化电路的效率与响应速度。工程师在为新设计选型时,需综合考虑其已停产的状态,并评估是否有性能更优、供货稳定的替代型号。

  • 型号:BAT47
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 350MA DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):350mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 300 mA
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 20 V
  • 不同Vr、F 时电容:20pF @ 0V,1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C
  • 想获取BAT47的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BAT47是STMicroelectronics生产的一款轴向封装肖特基二极管。其核心特性在于利用金属-半导体结实现整流,提供仅1V @ 300mA的低正向压降,能有效降低导通损耗。同时,它具备快速恢复(<500ns)能力,适合高频开关应用。

该器件额定参数为最大反向电压20V,平均整流电流350mA。其反向漏电流低至10A @ 20V,结电容小(20pF @ 0V),确保了良好的高频性能与反向阻断能力。标准的DO-35通孔封装使其易于在传统电路板上安装使用。

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