ST代理,ST芯片代理,ST代理商
ST代理商渠道,ST芯片一站式采购平台
ST意法半导体芯片的即时报价、快速出货、无最低起订量
ST
BD139-10的图片

BD139-10

ST图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
原厂封装:封装:SOT-32
优势价格,BD139-10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
BD139-10的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BD139-10是ST意法半导体推出的一款中功率NPN双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-126-3(也称为TO-225AA)通孔封装。该器件基于成熟的硅平面工艺制造,其核心架构旨在提供可靠的电流放大与开关控制能力。其内部结构经过优化,确保了在较宽的工作电流范围内具有稳定的直流电流增益,同时集电极-发射极饱和压降维持在较低水平,这有助于提升整体能效,减少器件在开关或线性放大状态下的功率损耗。

该晶体管的功能特点突出其通用性与鲁棒性。其集电极最大连续电流额定值为1.5A,集电极-发射极击穿电压高达80V,这使其能够胜任多种中等电压和电流的应用环境。在150mA集电极电流和2V集电极-发射极电压的典型工作点下,其直流电流增益(hFE)最小值为40,提供了良好的电流放大能力。此外,其集电极截止电流(ICBO)典型值极低,仅为100nA,体现了优异的关断特性。最大功耗为1.25W,结合高达150°C的结温(TJ)额定值,赋予了其良好的热稳定性,用户可以通过ST中国代理获取详细的热设计指南。

在接口与关键参数方面,BD139-10采用标准的三引脚(发射极、基极、集电极)通孔封装,便于在原型设计或需要高可靠性的PCB上进行焊接和安装。其饱和压降参数尤为关键,在基极电流50mA、集电极电流500mA的条件下,集电极-发射极饱和电压最大仅为500mV,这直接关系到其在开关应用中的导通损耗和效率。这些参数共同定义了一个性能均衡的晶体管,既适用于模拟电路中的甲类或乙类放大,也适用于数字电路或电源电路中的中速开关。

基于其参数特性,BD139-10广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子(非核心安全领域)等场景。典型的应用包括音频功率放大器的驱动级、线性稳压电源的调整管、继电器或小型电机的驱动开关,以及各种通用电子设备中的信号放大与处理电路。其高电压和电流能力使其成为替换老旧设计或构建新原型时的可靠选择,在需要中功率处理的场合提供了经久耐用的半导体解决方案。

  • 型号:BD139-10
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大值:1.25 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32
  • 想获取BD139-10的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BD139-10是ST意法半导体生产的一款NPN型中功率双极性晶体管。该器件采用TO-126-3通孔封装,核心特性包括80V的集电极-发射极击穿电压和1.5A的最大连续集电极电流,适用于中等功率的开关与放大应用。

其技术参数表现出良好的通用性:在150mA, 2V条件下,直流电流增益(hFE)最小值为40,确保了有效的电流放大;集电极-发射极饱和压降最大为500mV @ 500mA,有助于降低导通损耗。最大功耗1.25W和150°C的最高结温为其在各类环境下的稳定工作提供了保障。

了解更多ST芯片的报价及技术资料
ST芯片代理的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格
ST公司(意法半导体)授权的国内ST一级代理一手货源,大小批量出货
ST中国代理商