BD536

BD536是ST意法半导体推出的一款采用TO-220-3封装的高功率PNP双极性晶体管（BJT）。该器件采用成熟的硅基工艺制造，其核心架构设计旨在实现高电流承载能力与稳健的功率处理性能。其内部结构经过优化，确保了在大电流工作条件下仍能保持较低的饱和压降和稳定的直流电流增益，这对于功率开关和线性放大应用中的效率与可靠性至关重要。

该晶体管的功能特点突出体现在其强大的功率处理能力上。其集电极最大连续电流可达8A，集射极击穿电压高达60V，使其能够胜任中高功率等级的电路设计。尤为关键的是，其在6A大电流条件下的饱和压降典型值仅为800mV（基极电流为600mA时），这意味着在导通状态下的功率损耗较低，有助于提升整体系统的能源效率。其直流电流增益（hFE）在2A、2V条件下最小值为25，提供了足够的电流驱动能力，简化了前级驱动电路的设计。高达50W的最大功耗和150°C的结温（TJ）使其具备出色的热性能，适合在要求苛刻的环境下持续工作。

在接口与参数方面，BD536采用标准的通孔安装TO-220封装，便于散热片安装和机械固定，非常适合在电源、电机驱动等需要良好散热条件的设备中使用。其集电极截止电流最大为100A，体现了良好的关断特性。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST代理商获取相关技术支持和库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和参数特性使其在诸多现有系统和备件更换市场中仍具有参考和应用价值。

基于其技术参数，BD536典型的应用场景包括线性稳压电源中的调整管、音频功率放大器的输出级、直流电机驱动电路中的H桥下管，以及各种需要PNP晶体管进行功率开关或电流放大的工业控制设备。其高耐压和大电流特性使其成为处理感性负载和脉冲电流的理想选择之一，在要求高可靠性和鲁棒性的场合中曾得到广泛应用。

• 型号:BD536
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 60V 8A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:800mV @ 600mA，6A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:25 @ 2A，2V
• 功率 - 最大值:50 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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BD536是ST意法半导体生产的一款PNP型功率双极性晶体管，采用TO-220-3通孔封装。该器件的核心特性在于其8A的集电极最大电流和60V的集射极击穿电压，能够处理高达50W的功率，适用于中高功率应用。

其技术优势体现在较低的导通损耗，在6A电流下饱和压降仅为800mV，有助于提升能效。同时，器件在2A电流下具备最小25倍的直流电流增益，并支持最高150°C的结温，确保了在严苛工况下的稳定性和驱动简易性。