STF18N60M2

STF18N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻（R_DS(on)）与低栅极电荷（Q_g）的卓越平衡。其核心在于通过改进的单元结构和专有的制造工艺，显著降低了传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），确保了在高压离线式应用中的可靠性与安全裕度。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为13A，能够处理可观的功率等级。其导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）、6.5A漏极电流条件下，典型值仅为280毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低。同时，其栅极总电荷（Q_g）在10V V_GS时最大值为21.5nC，结合791pF（在100V V_DS下）的输入电容（C_iss），共同决定了快速的开关特性和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关损耗。

器件采用坚固的TO-220FP封装，这种通孔安装封装提供了良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为25W（T_C）。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了较强的抗干扰能力。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STF18N60M2非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）、反激式、正激式及半桥/全桥转换器。它也是电机驱动、工业照明（如LED驱动）、电焊机和不同断电源（UPS）等系统中功率开关部分的理想选择，能够有效提升系统能效和功率密度。

• 型号:STF18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF18N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件额定值为600V漏源电压和13A连续漏极电流，采用TO-220FP封装，专为高效功率转换应用而设计。

其核心优势在于实现了优异的开关性能与低导通损耗的平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值低至280毫欧，同时栅极电荷最大值仅为21.5nC。这种特性组合有助于显著降低系统的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。