BD912

BD912是ST意法半导体推出的一款高性能功率双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-220-3通孔封装，专为高电压、大电流的开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的PNP型双极性工艺，通过优化的半导体材料和结构设计，在保证高击穿电压的同时，实现了优异的电流处理能力和较低的饱和压降，为电源管理、电机驱动等领域的工程师提供了一个可靠且高效的功率开关解决方案。

该器件集成了多项关键特性，使其在同类产品中表现突出。其集电极-发射极击穿电压高达100V，能够从容应对工业环境中常见的电压波动和尖峰。最大连续集电极电流达到15A，配合高达90W的最大功耗能力，赋予了其强大的功率处理潜力。在饱和导通状态下，Vce饱和压降典型值较低（例如，在Ic=10A， Ib=2.5A条件下最大为3V），这意味着在导通期间产生的功耗更小，有助于提升整体系统的能效和热性能。其直流电流增益（hFE）在典型工作点（如5A， 4V）下最小值为15，确保了在驱动大电流负载时具有良好的电流控制能力。

在接口与参数方面，BD912采用标准的三引脚TO-220封装，便于安装和散热处理。其工作结温最高可达150°C，提供了宽泛的安全工作温度范围，增强了系统在恶劣环境下的可靠性。此外，其跃迁频率为3MHz，虽然并非针对射频应用优化，但足以满足中低频开关应用的需求，保证了开关响应的速度。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以确保产品的正宗性和供应链的稳定性。

基于其稳健的性能参数，BD912非常适合应用于多种工业与消费电子场景。它常被用作开关电源中的高压侧或低压侧开关管、线性稳压器的调整管，以及直流电机驱动、步进电机驱动电路中的功率输出级。其高耐压和高电流特性也使其成为UPS（不间断电源）、逆变器和电子负载等设备中功率转换环节的理想选择。凭借ST意法半导体可靠的制造工艺和该器件本身的设计鲁棒性，BD912能够帮助设计者构建出高效、耐用且成本效益高的功率电子系统。

• 型号:BD912
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 100V 15A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 2.5A，10A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:15 @ 5A，4V
• 功率 - 最大值:90 W
• 频率 - 跃迁:3MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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BD912是ST意法半导体生产的一款PNP型功率双极性晶体管，采用TO-220封装。该器件设计用于处理高功率应用，其核心参数包括高达100V的集射极击穿电压和15A的最大集电极电流，提供了出色的功率处理能力。

其关键特性在于较低的饱和压降（最大3V @ 10A, 2.5A Ib）和高达90W的功耗能力，这有助于减少导通损耗并改善热管理。最小直流电流增益（hFE）为15 @ 5A, 4V，确保了在大电流条件下的有效驱动与控制，使其成为开关电源和电机驱动等应用的可靠选择。