STGB35N35LZ-1

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STGB35N35LZ-1是一款采用IPAK（TO-262）封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件隶属于ST先进的PowerMESH产品系列，该系列融合了优化的垂直结构和沟槽栅技术，旨在实现低导通损耗与快速开关特性的平衡。其核心设计通过精细的单元密度和载流子寿命控制，在345V的集射极击穿电压下，有效降低了饱和压降与开关损耗，为中等电压、中等功率应用提供了一个高效可靠的开关解决方案。

该IGBT在电气性能上表现出色，其最大集电极电流为40A，脉冲电流能力可达80A，展现出强劲的瞬时过载能力。在典型工作条件下（Vge=4.5V， Ic=15A），其集电极-发射极饱和压降Vce(on)最大值仅为1.7V，这一低导通压降特性直接转化为更低的工作温升和更高的系统效率。同时，其逻辑电平输入设计（标准4.5V驱动）简化了栅极驱动电路，配合49nC的相对较低的栅极电荷，有助于实现简洁高效的驱动设计并减少开关损耗。其开关特性在测试条件（300V， 15A， 5V）下，典型开关延迟时间为1.1s（开启）和26.5s（关断），适用于数十kHz频率范围内的开关应用。

在接口与热管理方面，STGB35N35LZ-1采用通孔安装的IPAK封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于通过PCB敷铜区域或外部散热器进行热传导。其最大功耗为176W，结合宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），确保了器件在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与设计资源。

基于其345V/40A的额定参数和优化的开关性能，这款IGBT非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源（UPS）、焊接设备、以及各类开关模式电源（SMPS）的功率级。它在这些场景中主要承担逆变、斩波或功率因数校正（PFC）电路中的核心开关角色，是实现紧凑型、高能效功率系统的关键组件之一。

• 型号:STGB35N35LZ-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 345V 40A TO-262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:345 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，15A
• 功率 - 最大值:176 W
• 开关能量:-
• 输入类型:逻辑
• 栅极电荷:49 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:1.1s/26.5s
• 测试条件:300V，15A，5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
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STGB35N35LZ-1是意法半导体生产的一款采用IPAK封装的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），属于其PowerMESH系列产品。该器件设计用于中等功率开关应用，其核心电气参数包括345V的集射极击穿电压、40A的连续集电极电流以及高达80A的脉冲电流能力。

其关键优势在于较低的导通损耗，在4.5V栅极驱动和15A集电极电流条件下，饱和压降典型值仅为1.7V。同时，49nC的栅极电荷和逻辑电平输入特性，简化了驱动电路设计并有助于提升开关效率。该器件最大功耗为176W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在工业环境下的鲁棒性与可靠性。