STP80N20M5

STP80N20M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，专为高效功率转换和开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在硅片层面实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的卓越平衡，这一特性对于提升开关电源的整体效率至关重要，能有效降低导通损耗和开关损耗。

在功能表现上，该MOSFET具备200V的漏源击穿电压（Vdss），确保了其在离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等常见高压应用中的可靠性与安全裕度。其在壳温（Tc）条件下高达61A的连续漏极电流能力，配合190W的最大功率耗散，赋予了它处理高功率密度的潜力。驱动特性方面，10V的栅极驱动电压即可使其进入充分导通状态，其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力，而±25V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全范围。

深入其关键电气参数，在10V Vgs、30.5A Id条件下，其导通电阻典型值仅为23毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，在10V Vgs下，栅极总电荷（Qg）最大值为104nC，结合4329pF的输入电容（Ciss），表明其具有较快的开关速度，有助于提高系统工作频率。这些参数共同塑造了其在高频开关应用中兼顾效率与热管理的优势。用户可以通过ST中国代理获取该产品的详细技术资料与供应链支持。

综合其电压、电流及开关特性，STP80N20M5非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）初级侧开关、不间断电源（UPS）的功率转换模块、工业电机驱动中的辅助电源以及各类照明镇流器。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的MDmesh V技术精髓，对于理解高效功率MOSFET的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP80N20M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4329 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP80N20M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其200V的漏源电压（Vdss）与高达61A（Tc）的连续漏极电流能力，能够胜任中高功率的开关应用。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：导通电阻（Rds(on)）低至23毫欧（@10V，30.5A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值为104nC（@10V），有助于实现快速的开关切换，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等高效能转换电路的理想选择。