STD75N3LLH6

STD75N3LLH6是ST意法半导体基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷乘积（R_DS(on) × Q_G），这一核心架构使其在开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体能效。其设计充分考虑了高电流密度下的热管理和电气稳定性，为要求苛刻的功率转换任务提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于低压大电流场景。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达75A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，其在10V栅源驱动电压、37.5A漏极电流条件下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为5.5毫欧，这直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，其栅极总电荷（Q_G）在4.5V V_GS下最大值为17nC，较低的栅极电荷有助于实现快速开关并降低驱动电路的功耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并优化PCB空间布局。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容，简化了驱动设计。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。其最大结温（T_J）可达175°C，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。最大功率耗散为60W（Tc），结合其低热阻封装，散热性能良好。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与库存信息。

凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，STD75N3LLH6非常适合于高效率的DC-DC同步整流、电机驱动、电池保护电路以及各类电源管理应用。它常见于服务器电源、工业电源、电动工具和汽车辅助系统等领域的功率开关和负载开关设计中，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元器件之一。

• 型号:STD75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD75N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET VI技术，封装形式为DPAK。该器件核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗，在壳温25°C下连续漏极电流高达75A，且在10V V_GS、37.5A I_D条件下导通电阻典型值仅为5.5mΩ。

其电气参数设计针对高效开关应用进行了优化，栅极电荷（Q_G）最大值仅为17nC @ 4.5V，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件额定漏源电压为30V，栅源电压范围达±20V，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在低压大电流应用中的高可靠性和稳定性。