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BF259

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 300V 0.1A TO-39
原厂封装:封装:TO-39
优势价格,BF259的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BF259的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BF259是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-39金属罐封装。其核心架构基于成熟的平面工艺,旨在提供稳定的高压开关与放大能力。该器件设计用于在高达300V的集电极-发射极电压下可靠工作,集电极最大连续电流为100mA,使其成为处理中压、小电流信号的理想选择。

该晶体管具备多项关键电气特性。高达300V的VCEO击穿电压是其最显著的特点,确保了在高压环境下的应用余量与可靠性。其饱和压降在特定条件下(6mA基极电流,30mA集电极电流)典型值仅为1V,有助于降低开关状态下的导通损耗。直流电流增益(hFE)在30mA集电极电流和10V集电极-发射极电压下最小值为25,提供了适中的电流放大能力。此外,高达90MHz的过渡频率使其能够胜任中频范围的信号放大任务,而集电极截止电流(ICBO)最大仅为50nA,体现了良好的关断特性。

在物理接口与参数方面,BF259采用通孔安装的TO-39(TO-205AD)金属封装,这种封装具有良好的散热性能和机械强度,最大功耗可达5W。其结温(TJ)最高可支持至200°C,赋予了器件在严苛温度环境下工作的潜力。对于需要获取此型号样片或进行批量采购的工程师,可以通过授权的ST代理商进行咨询。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计选型时需评估替代方案或库存可用性。

基于其高压、中频的特性组合,BF259传统上适用于多种要求耐压和一定开关速度的场合。典型应用包括CRT显示器的行输出电路、开关电源中的高压侧驱动、电子镇流器以及各种工业控制设备中的高压信号切换与放大环节。其稳健的封装和宽工作温度范围也使其能够适应相对复杂的工业环境。

  • 型号:BF259
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-39
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 300V 0.1A TO-39
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):300 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 6mA,30mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):25 @ 30mA,10V
  • 功率 - 最大值:5 W
  • 频率 - 跃迁:90MHz
  • 工作温度:200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • 供应商器件封装:TO-39
  • 想获取BF259的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BF259是ST意法半导体生产的一款高压NPN双极性晶体管,采用TO-39金属罐封装。其核心电气参数包括300V的集电极-发射极击穿电压和100mA的最大集电极电流,专为中高压、小电流的开关与放大应用而设计。

该器件在30mA集电极电流下提供最小25倍的直流电流增益,并具备90MHz的过渡频率,支持中频信号处理。其饱和压降低至1V(@ 6mA, 30mA),有助于提升能效。5W的最大功耗和200°C的最高结温确保了其在要求苛刻的环境中的可靠性。

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