STPSC5H12B-TR1

STPSC5H12B-TR1是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体技术，其核心架构基于碳化硅材料，相较于传统的硅基快恢复二极管，在高温、高压和高频工作条件下展现出显著优势。碳化硅材料的高临界击穿电场特性使得器件能够实现更高的阻断电压，同时其优异的导热性能有助于提升功率密度和可靠性。

该二极管具备一系列卓越的功能特性。其最突出的特点是零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr），这从根本上消除了传统硅PIN二极管在开关过程中因少数载流子存储效应导致的开关损耗和电压尖峰。这一特性使得它在高频开关应用中能够实现极高的效率。同时，器件具有高达1200V的反向重复峰值电压（VRRM）和5A的平均正向电流（IF(AV)），提供了坚固的耐压和载流能力。其正向压降（VF）在5A电流下典型值仅为1.5V，结合极低的反向漏电流（在1200V下典型值为30A），共同确保了较低的通态损耗和优异的关断特性。

在接口与参数方面，STPSC5H12B-TR1采用表面贴装型TO-252-3（DPAK）封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其结电容（Cj）在0V偏压和1MHz测试条件下典型值为450pF，较低的电容值有利于进一步降低高频开关损耗。该器件属于意法半导体的ECOPACK系列，符合环保法规要求。用户可通过授权的ST代理商获取相关技术支持和库存信息，需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存供应。

得益于其无反向恢复、高耐压和高效率的特性，这款碳化硅肖特基二极管非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的高频整流、光伏逆变器中的升压二极管、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动中的续流或钳位电路。在这些应用中，它能有效降低系统整体损耗，提升开关频率，从而帮助设计者实现更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:STPSC5H12B-TR1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 5 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:450pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC5H12B-TR1是ST意法半导体生产的一款1200V/5A碳化硅（SiC）肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性，实现了传统硅基快恢复二极管无法比拟的性能优势。

其核心卖点在于彻底消除了反向恢复时间（trr=0ns）和反向恢复电荷，这显著降低了高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰。同时，它具备1.5V@5A的低正向压降和1200V下的高反向阻断能力，确保了高效率与高可靠性。这些特性使其成为提升功率转换系统效率和功率密度的理想选择。