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BTW69-1200N

ST图标
分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:SCR 1.2KV 50A TOP3
原厂封装:封装:TOP3
优势价格,BTW69-1200N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BTW69-1200N的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BTW69-1200N是ST意法半导体推出的一款标准恢复型晶闸管(SCR),采用经典的TOP-3通孔封装,专为高电压、大电流的功率控制应用而设计。其核心架构基于成熟的PNPN四层半导体结构,通过门极触发信号实现单向导通控制,具备优异的阻断能力和稳定的开关特性。该器件在-40°C至125°C的宽温度范围内均能保持可靠的性能,确保了其在严苛工业环境下的长期稳定运行。

该器件的一个显著特点是其高达1.2kV的断态重复峰值电压,这使其能够从容应对工业电网中的高压波动和瞬态冲击。其通态电流能力同样出色,平均通态电流(It(AV))为31A,有效值电流(It(RMS))可达50A,能够承载持续的功率负载。在浪涌电流耐受方面,其非重复浪涌电流(Itsm)高达700A(50Hz)或763A(60Hz),提供了强大的抗过载和短路冲击能力,这对于电机启动、电源软启动等应用至关重要。其门极触发特性也经过优化,最大触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大触发电流(Igt)为50mA,这意味着它可以使用较低功率的控制电路进行可靠驱动,简化了外围设计。

在电气参数上,最大通态压降(Vtm)仅为1.6V,这有助于降低器件在导通状态下的功耗和温升,提升整体系统效率。同时,其断态漏电流极低,最大值仅为10A,在关断状态下几乎不消耗功率。标准的恢复型设计使其适用于工频(50/60Hz)及中低频开关应用。其坚固的TOP-3封装提供了良好的机械强度和散热性能,便于安装在散热器上以应对大电流工作产生的热量。对于需要可靠技术支持与稳定供货的客户,可以联系专业的ST中国代理获取详细的产品资料、应用指导与供应链服务。

凭借其高耐压、大电流和强抗浪涌能力,BTW69-1200N非常适合应用于交流电机控制、固态继电器、工业加热控制、不间断电源(UPS)、电焊机以及各类交流功率开关和相位控制电路中。它是工程师在设计和升级高可靠性工业功率控制系统时的一个值得信赖的功率开关解决方案。

  • 型号:BTW69-1200N
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TOP3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
  • 描述:SCR 1.2KV 50A TOP3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 断态:1.2 kV
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):50 mA
  • 电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V
  • 电流 - 通态 (It (AV))(最大值):31 A
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):50 A
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):100 mA
  • 电流 - 断态(最大值):10 A
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):700A,763A
  • SCR 类型:标准恢复型
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TOP-3
  • 供应商器件封装:TOP3
  • 想获取BTW69-1200N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BTW69-1200N是ST意法半导体生产的一款标准恢复型晶闸管(SCR),采用TOP-3通孔封装。该器件核心优势在于其1.2kV的高断态电压50A有效值通态电流的强大组合,能够处理高功率负载。

其电气参数设计兼顾了性能与易用性:最大通态压降仅1.6V,有助于降低导通损耗;门极触发要求低(Vgt(max)=1.3V, Igt(max)=50mA),便于驱动。此外,它具备高达700A以上的非重复浪涌电流承受能力,并支持-40°C至125°C的宽工作温度范围,确保了在工业控制、电机驱动等应用中的高可靠性和鲁棒性。

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