STB18N65M5

STB18N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性与雪崩耐量，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值达15A，展现出强大的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（V_GS）和7.5A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为220毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，该器件栅源电压（V_GS）最大耐受范围为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压（V_GS(th)）设计合理，确保了可靠的导通与关断控制。表面贴装型的D2PAK封装不仅提供了良好的功率耗散能力（最大110W，基于壳温），其紧凑的封装尺寸也利于高功率密度PCB布局。器件的最高结温（T_J）为150°C，保证了在严苛环境下的稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息与采购服务。

凭借其高耐压、低导通电阻和高效率的特性，STB18N65M5非常适用于要求严苛的开关电源（SMPS）应用，如服务器电源、通信电源、工业电源适配器及照明用LED驱动电源。它也是功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及硬开关和软开关拓扑（如反激、正激、半桥）中的理想选择，能够有效提升终端产品的能效等级与可靠性。

• 型号:STB18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB18N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，封装形式为D2PAK。该器件核心规格为650V漏源电压（Vdss）与15A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其显著技术优势在于实现了低导通电阻与优异开关性能的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为220毫欧 @ 7.5A，同时栅极电荷（Qg）典型值较低，这共同确保了较低的传导损耗与开关损耗，有助于提升整体电源系统的转换效率。器件采用表面贴装封装，最高工作结温达150°C，适用于高可靠性要求的工业及消费类电源设计。