FERD30S50DJF-TR

FERD30S50DJF-TR是ST意法半导体推出的一款高性能表面贴装整流二极管，采用先进的场效应整流器（FERD）架构。该架构的核心在于将肖特基二极管的低正向压降特性与快速恢复PN结二极管的坚固性相结合，通过优化的半导体工艺和结构设计，实现了在单芯片上对正向导通损耗和反向恢复性能的卓越平衡。这使得器件能够在高电流下高效工作，同时保持良好的开关特性，尤其适用于对效率和热管理有严格要求的功率转换场景。

该器件具备多项突出的功能特性。其最大平均整流电流（Io）高达30A，能够承载显著的功率负载。在15A电流下的典型正向压降（Vf）仅为470mV，这一低导通损耗特性直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率，有助于减少散热设计压力。同时，作为一款快速恢复二极管，其恢复速度≤500ns（在>200mA Io条件下），这有效抑制了开关过程中的电压尖峰和振荡，降低了电磁干扰（EMI），提升了开关电源的可靠性和稳定性。其反向漏电流在最大反向电压50V下典型值为800A，表现出良好的关断特性。

在接口与参数方面，FERD30S50DJF-TR采用紧凑的8-PowerVDFN封装，具体为ST专有的PowerFlat（5x6）外形。这种表面贴装封装具有极低的热阻和优异的散热性能，其底部的裸露焊盘（Exposed Pad）便于将芯片产生的热量高效传导至PCB铜箔，从而实现出色的热管理。其最大直流反向电压（Vr）为50V，为常见的低压功率转换应用提供了充足的电压裕量。用户可以通过ST中国代理获取该器件的详细规格书、评估板以及技术支持。

基于其高电流、低损耗和快速恢复的特性组合，该器件非常适合应用于高效率的DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动中的续流二极管以及各类开关电源的次级侧整流。它能够有效提升电源模块的功率密度和整体能效，常见于服务器电源、通信基础设施、工业电源以及汽车电子等对性能和可靠性要求严苛的领域。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要价值。

• 型号:FERD30S50DJF-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 50V 30A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:50 V
• 电流 - 平均整流 (Io):30A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 15 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800 A @ 50 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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FERD30S50DJF-TR是ST意法半导体生产的一款采用PowerFlat封装的表面贴装场效应整流二极管（FERD）。该器件核心优势在于其30A的高平均整流电流能力与极低的导通压降（典型值470mV @ 15A），这显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统效率。

同时，它具备快速恢复特性（≤500ns），适用于高频开关应用，能有效改善EMI性能。其50V的最大反向电压和紧凑的封装设计，使其成为空间受限且要求高效率的功率整流应用的理想选择，例如同步整流和各类开关电源的次级侧。