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T1210-6G-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 12A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T1210-6G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T1210-6G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T1210-6G-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能三端双向可控硅(TRIAC),采用无缓冲器设计,专为要求严苛的交流负载控制应用而优化。该器件采用成熟的平面钝化技术构建,确保了在高压环境下的稳定性和可靠性,其核心架构旨在实现高效的电能转换与精确的相位控制。

该器件具备600V的高断态电压能力,能够有效抑制线路中的电压尖峰和瞬态干扰,为系统提供坚固的保护屏障。其12A的RMS通态电流额定值使其能够驱动中等功率的交流负载,而高达120A(50Hz)和126A(60Hz)的非重复浪涌电流承受能力,则确保了在面对电机启动或白炽灯冷态冲击等大电流浪涌时,器件具备出色的抗冲击韧性。触发特性方面,其最大栅极触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大栅极触发电流(Igt)为10mA,这意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、可靠地驱动,简化了外围驱动电路的设计。

在接口与封装层面,T1210-6G-TR采用了行业标准的表面贴装型DPak(TO-263-3)封装。这种封装具有良好的散热性能和机械强度,其金属接片可直接焊接在PCB的铜箔区域,有效将芯片产生的热量传导至电路板,从而在-40°C至125°C的宽结温范围内维持稳定的工作状态。其单路配置和简洁的三引脚设计(MT1, MT2, Gate)也便于在电路板上进行布局和焊接。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其稳健的参数性能,T1210-6G-TR非常适合应用于各类交流相位控制或开关控制场景。典型应用包括工业与家用电器的电机速度控制(如风扇、搅拌机)、固态继电器、交流调光器、加热器功率调节以及通用交流电源开关。其高耐压和高浪涌能力使其成为替代机械继电器、实现无声、长寿命、高可靠性的电子开关方案的理想选择。

  • 型号:T1210-6G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 12A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):10 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):15 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 想获取T1210-6G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T1210-6G-TR是ST意法半导体生产的一款12A、600V三端双向可控硅,属于无缓冲器类型的晶闸管系列。该器件设计用于高效的交流负载控制,其有源状态确保了长期的供货与设计连续性。

其核心电气参数定义了强大的性能基础:高达12A的RMS通态电流和600V的断态电压提供了坚实的功率处理能力,而优异的浪涌承受能力(120A/126A)则保障了在恶劣工况下的可靠性。同时,低至1.3V/10mA的栅极触发特性使其易于由低压控制电路直接驱动,简化了系统设计。器件采用表面贴装型DPak封装,支持-40°C至125°C的宽工作结温范围,适用于空间受限且要求高可靠性的应用场景。

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