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TN1605H-6G-TR的图片

TN1605H-6G-TR

ST图标
分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:SCR 600V 16A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,TN1605H-6G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TN1605H-6G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TN1605H-6G-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款标准恢复型晶闸管(SCR),采用表面贴装型DPAK封装。该器件基于成熟的平面钝化技术构建,其核心PNPN四层半导体结构经过优化,确保了在高压、大电流开关应用中的可靠性与稳定性。其设计重点在于实现低栅极驱动需求下的高效触发,以及在高通态电流下维持较低的导通压降,从而有效降低器件自身的功率损耗,提升系统整体能效。

该芯片具备多项突出的电气特性。其断态电压高达600V,为交流市电及更高电压的离线应用提供了充足的电压裕量,增强了系统的抗浪涌能力。其栅极触发特性尤为出色,最大触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大触发电流(Igt)低至6mA,这意味着它可以直接由微控制器或低功耗逻辑电路轻松驱动,简化了外围驱动电路的设计。在导通状态下,其最大通态电压(Vtm)为1.6V,配合高达16A RMS10A AV的通态电流能力,使其能够在承载较大负载电流时保持较低的导通损耗。此外,其非重复浪涌电流(Itsm)能力超过140A,提供了强大的抗瞬时过载冲击的鲁棒性。

在接口与参数方面,该器件采用TO-263-3(DPAK)封装,这种封装具有良好的散热性能,便于通过PCB铜箔将热量导出。其工作温度范围宽达-40°C 至 150°C,能够适应严苛的工业环境。极低的断态漏电流(最大5A)有助于降低待机功耗。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压、大电流、低驱动需求以及表面贴装带来的高功率密度优势,TN1605H-6G-TR非常适用于交流调光、电机控制、固态继电器、不间断电源(UPS)以及各类工业加热控制等场景。它能够有效替代机械继电器和接触器,实现无火花、长寿命、高频率的功率开关控制,是构建高效、紧凑型功率控制系统的理想选择。

  • 型号:TN1605H-6G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
  • 描述:SCR 600V 16A D2PAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):6 mA
  • 电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V
  • 电流 - 通态 (It (AV))(最大值):10 A
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):20 mA
  • 电流 - 断态(最大值):5 A
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):140A,153A
  • SCR 类型:标准恢复型
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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TN1605H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款标准恢复型表面贴装晶闸管。该器件设计用于高要求的功率开关应用,其核心优势在于600V的高断态电压和16A RMS的通态电流能力,为处理交流主电源及大电流负载提供了坚实的基础。

该SCR的栅极驱动需求极低,最大触发电压和电流分别仅为1.3V6mA,便于与低压控制电路直接接口。同时,其最大通态压降为1.6V,有助于减少导通损耗。器件采用DPAK封装,工作温度范围覆盖-40°C 至 150°C,确保了在恶劣环境下的可靠性和出色的散热性能。

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