STL20N6F7

STL20N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构和沟槽栅极设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的优异平衡。这种核心架构的优化，使得芯片在提供大电流处理能力的同时，能显著降低开关损耗和传导损耗，为高效率功率转换应用奠定了坚实基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）额定为60V，确保了在常见24V或48V总线系统中的可靠工作余量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达100A，展现出强大的电流承载能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在较低水平，有助于简化栅极驱动设计并提升开关频率，从而减小系统中无源元件的体积。

在接口与封装方面，STL20N6F7采用了表面贴装型的PowerFlat（3.3x3.3）封装。这种封装具有极低的热阻和出色的散热性能，其最大结温（T_J）可达150°C，允许器件在高温环境下稳定运行。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动安全裕度。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的开发者，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料、样品及设计支持。

综合其高电流、低损耗和紧凑封装的特点，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它常被用作同步整流器、电机驱动中的H桥开关、DC-DC转换器中的主开关管，尤其是在服务器电源、通信设备电源、电动工具以及工业自动化系统中的电机控制等场合。其优异的性能使其成为提升终端产品能效和可靠性的关键元器件之一。

• 型号:STL20N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL20N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，在60V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了高达100A（Tc）的连续漏极电流处理能力，并具备极低的导通电阻，典型值仅为数毫欧量级。

其设计优化了栅极电荷与输入电容，有助于降低开关损耗并支持更高频率的开关操作。器件采用热性能优异的PowerFlat表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高功率密度应用中的可靠性与散热效率。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。