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SLVU2.8-4A1

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 2.8VWM 15VC 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,SLVU2.8-4A1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SLVU2.8-4A1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款专为高速数据线路瞬态电压抑制设计的保护器件,SLVU2.8-4A1采用了意法半导体成熟的TVS(瞬态电压抑制器)技术。其核心架构基于多通道、低电容的硅基齐纳二极管阵列,集成在一个紧凑的8-SOIC封装内。该器件内部集成了四个独立的双向保护通道,每个通道均能对正负两个方向的瞬态过压事件做出快速响应,为多线对差分信号提供对称且一致的保护,这对于维持信号完整性至关重要。

该器件的关键特性在于其极低的钳位电压与快速响应时间的结合。其典型反向关断电压为2.8V,能够紧密匹配低电压工作信号线的电平。在承受高达24A(8/20s波形)的峰值脉冲电流冲击时,其最大钳位电压被严格限制在15V,从而为后级敏感电路构建了一道坚固的屏障。600W的峰值脉冲功率处理能力确保了器件能够可靠地吸收并耗散来自静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其他浪涌事件的能量。此外,其极低的线路电容对于高速应用而言是一个显著优势,它能最大限度地减少对信号上升时间和数据完整性的影响。

在接口与参数方面,SLVU2.8-4A1采用表面贴装型(SMD)封装,便于自动化生产并节省电路板空间。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。该器件专为保护低压差分信号接口而优化,其参数组合包括低工作电压、高浪涌处理能力和多通道配置使其成为特定应用的理想选择。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术规格、样品以及设计支持。

鉴于其出色的性能特点,SLVU2.8-4A1主要定位于需要高可靠性信号保护的通信与网络设备领域。其典型应用场景包括但不限于千兆及更高速率的以太网(10/100/1000 BASE-T)端口保护,特别是交换机、路由器、网络接口卡(NIC)以及工业以太网设备中的PHY芯片接口。它同样适用于其他采用类似低压差分信号标准的数字接口,为数据传输的稳定性和设备长期运行的可靠性提供了有效的保障。

  • 型号:SLVU2.8-4A1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 2.8VWM 15VC 8-SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:4
  • 电压 - 反向断态(典型值):2.8V
  • 电压 - 击穿(最小值):-
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):15V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):24A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:以太网
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取SLVU2.8-4A1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SLVU2.8-4A1是ST意法半导体推出的一款多通道TVS二极管阵列,采用8-SOIC封装,专为保护低压、高速数据线路而设计。该器件集成了四个双向保护通道,典型反向关断电压为2.8V,在承受24A(8/20s)峰值脉冲电流时,能将电压箝位在最大值15V以内,其峰值脉冲功率处理能力达到600W。

其核心优势在于将低钳位电压、高浪涌电流处理能力与极低的线路电容相结合,能有效抑制ESD、EFT等瞬态过压事件,同时最大限度地减少对高速信号完整性的影响。该器件工作温度范围宽(-55°C ~ 150°C TJ),主要面向以太网端口等需要可靠信号保护的通信接口应用。

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