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BUL416T

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 800V 6A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,BUL416T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUL416T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BUL416T是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性功率晶体管(BJT),采用经典的TO-220-3通孔封装。该器件基于成熟的平面工艺技术构建,其核心架构旨在实现高耐压与大电流处理能力的平衡。内部结构经过优化,提供了坚固的集电极-发射极路径,确保在高达800V的电压下稳定工作,同时集电极电流能力达到6A,使其成为处理中高功率开关和线性放大应用的可靠选择。

该晶体管的功能特点突出表现在其高耐压与低饱和压降的组合上。800V的集射极击穿电压使其能够从容应对工业电源、电机控制等场合中常见的电压尖峰和反电动势冲击,显著提升了系统的可靠性。在导通状态下,其Vce饱和压降典型值仅为1.5V(测试条件为Ic=4A, Ib=1.33A),这意味着在承载大电流时,器件自身的功耗较低,有助于提高整体能效并简化散热设计。此外,其直流电流增益(hFE)在典型工作点(Ic=700mA, Vce=5V)下最小值为18,提供了足够的驱动能力。

在接口与关键参数方面,BUL416T的集电极截止电流最大值为250A,体现了良好的关断特性。其最大功耗为110W,结合高达150°C的结温(TJ)工作范围,赋予了它出色的热稳定性和鲁棒性,适合在环境温度变化较大的场合使用。TO-220封装便于安装散热器,是实现高效热管理的理想选择。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

基于上述特性,BUL416T非常适合应用于要求高耐压和中等电流的功率电子领域。典型应用场景包括离线式开关电源(SMPS)中的开关元件、电子镇流器、电机驱动控制电路(如通用电机调速)、以及UPS(不间断电源)和逆变器系统中的功率开关。其坚固耐用的设计也使其成为工业控制、照明系统和家用电器中线性稳压或开关控制的可靠解决方案。

  • 型号:BUL416T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 800V 6A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):800 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 1.33A,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):18 @ 700mA,5V
  • 功率 - 最大值:110 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取BUL416T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUL416T是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管,采用TO-220-3通孔封装。其核心卖点在于高达800V的集射极击穿电压和6A的集电极电流处理能力,能够承受严苛的电压应力并开关中等功率负载。

该器件在导通时具有较低的饱和压降(最大1.5V @ 4A),有助于减少导通损耗,提升效率。最大110W的功耗能力和150°C的结温工作范围,配合其封装形式,确保了良好的热性能和长期可靠性,适用于需要高耐压开关或放大的各类电源与驱动应用。

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