STL30N10F7

作为ST意法半导体旗下STripFET VII系列与DeepGATE技术平台的重要成员，STL30N10F7是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通损耗与卓越的开关性能，通过优化的单元设计和先进的制造工艺，在紧凑的封装内实现了高功率密度。该器件集成了多项专利技术，有效降低了栅极电荷和内部寄生电容，为高效率的功率转换应用奠定了坚实基础。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、4A漏极电流条件下，其R_DS(on)典型值仅为35毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC，结合较低的输入电容，显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得它在高频开关应用中表现出色，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。其漏源电压（V_DSS）额定值为100V，连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达30A，确保了在严苛工况下的可靠运行能力。

在接口与参数方面，STL30N10F7采用标准的10V栅极驱动电压，栅源电压（V_GS）最大可承受±20V，提供了宽裕的安全裕度。其阈值电压（V_GS(th)）设计合理，有助于避免误触发并增强抗噪声能力。该器件采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和极低的封装寄生电感，非常适合高密度PCB布局。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗为75W（T_C），展现了强大的热管理潜力和环境适应性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其优异的性能组合，STL30N10F7非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。它常被用作同步整流器、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）中的主开关管，以及电机驱动、电池保护电路和各类电源管理系统中的功率开关元件。其紧凑的封装和出色的热特性也使其成为空间受限的便携式设备、服务器电源和工业自动化设备的理想选择。

• 型号:STL30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL30N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进DeepGATE技术的STripFET VII产品系列。该器件额定值为100V漏源电压和30A连续漏极电流，核心优势在于其极低的导通电阻（35毫欧 @ 10V）与极低的栅极电荷（14nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗。

其采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，工作结温范围宽至-55°C至175°C，功耗能力达75W。这些参数使其成为高效率DC-DC转换、同步整流及电机控制等应用的可靠解决方案，在提升系统功率密度的同时保障了运行的稳定性。