STD3NK100Z

STD3NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直DMOS技术构建。该器件在单芯片上集成了高电压承受能力和优化的开关特性，其核心架构通过创新的单元设计和工艺优化，在保持紧凑的DPAK封装尺寸的同时，实现了1000V的高漏源击穿电压（Vdss）。这种设计有效平衡了导通电阻与栅极电荷之间的关系，为高压开关应用提供了一个高效可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.25A电流条件下典型值仅为6欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在18nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关切换能力，减少了开关过程中的损耗，特别适用于高频开关电路。器件栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力和驱动灵活性。

在接口与参数方面，STD3NK100Z采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时额定值为2.5A，最大功率耗散能力为90W（Tc）。器件拥有宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的产品资料、样品以及设计协助。

凭借其高耐压、低栅极电荷和良好的热性能，STD3NK100Z非常适合于需要高压开关和高效能转换的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器、工业电机驱动辅助电源以及各种离线式AC-DC转换器。在这些应用中，它能够有效提升电源的功率密度和可靠性，是工程师设计高压、中功率系统的优选器件之一。

• 型号:STD3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3NK100Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。其核心卖点在于高达1000V的漏源电压（Vdss）承受能力，结合2.5A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件在电气性能上进行了优化，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、1.25A Id条件下最大值为6欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值18nC @ 10V）确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并支持±30V的栅源电压，展现出强大的环境适应性和驱动鲁棒性。