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MD2103DFP

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 700V 6A TO-220FP
原厂封装:封装:TO-220FP
优势价格,MD2103DFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MD2103DFP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

MD2103DFP是ST意法半导体推出的一款高压大功率双极性晶体管(BJT),采用经典的NPN结构设计,封装于TO-220FP(TO-220-3 整包)通孔封装中。其核心架构旨在提供坚固耐用的高压开关与线性放大能力,集电极-发射极击穿电压高达700V,使其能够在严苛的高压环境下稳定工作,内部结构优化了电流流通路径,以降低饱和压降并提升功率处理效率。

该器件具备显著的功能特点,其最大集电极电流(Ic)为6A,结合高达38W的最大功耗能力,使其能够驱动较大的负载。在750mA基极电流和3A集电极电流的测试条件下,其集电极-发射极饱和压降(Vce(sat))典型值仅为1.8V,这一特性有效降低了导通状态下的功率损耗,提升了整体能效。同时,在3A集电极电流和5V集电极-发射极电压条件下,其直流电流增益(hFE)最小值为6.5,确保了在驱动大电流时仍具备足够的电流放大能力。集电极截止电流低至200A,体现了良好的关断特性,有助于减少待机功耗。

在接口与关键参数方面,MD2103DFP采用标准的三引脚(发射极、基极、集电极)通孔安装方式,便于在散热器上安装以实现更好的热管理。其工作结温(Tj)最高可达150°C,赋予了器件在高温环境下可靠运行的潜力。虽然该产品目前已处于停产状态,但其参数组合包括700V高压、6A电流和38W功率在特定存量或替代设计中仍具有参考价值。对于需要此类规格元器件的工程师,通过正规的ST代理商渠道咨询库存或替代方案是推荐做法。

基于其高压、大电流的特性,MD2103DFP非常适用于需要高压开关和功率控制的工业应用场景。典型的应用领域包括离线式开关电源(SMPS)的功率开关管、电子镇流器、电机驱动控制器中的功率输出级,以及UPS(不间断电源)和逆变器系统中的功率转换模块。在这些应用中,其高击穿电压和良好的饱和压降特性有助于构建高效、紧凑的功率解决方案。

  • 型号:MD2103DFP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 700V 6A TO-220FP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):700 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.8V @ 750mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):200A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):6.5 @ 3A,5V
  • 功率 - 最大值:38 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
  • 想获取MD2103DFP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

MD2103DFP是ST意法半导体生产的一款NPN型高压功率双极性晶体管。该器件采用TO-220FP封装,核心参数包括高达700V的集射极击穿电压和6A的最大集电极电流,使其能够胜任高压大电流的开关与控制任务。

其技术亮点在于优异的导通特性,在3A电流下饱和压降仅为1.8V,这有助于显著降低导通损耗。同时,最大功耗38W与150°C的最高工作结温确保了其在功率应用中的热可靠性。该晶体管主要面向开关电源、电机驱动及功率转换系统等需要高压处理能力的工业领域。

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