STGWA25H120DF2

STGWA25H120DF2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能沟槽型场截止IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用TO-247-3封装。该器件集成了优化的反并联二极管，构成一个完整的半桥（HB）功率开关单元，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构基于先进的沟槽栅和场截止技术，这种组合在1200V的电压等级下实现了导通损耗与开关损耗的出色平衡。沟槽结构提升了单元密度，降低了饱和压降（Vce(sat)），而场截止层则有效减薄了漂移区，在维持高阻断电压的同时显著降低了导通压降和关断损耗，为系统的高功率密度和可靠性奠定了物理基础。

在功能特性上，该器件展现出卓越的电气性能。其集电极-发射极额定电压高达1200V，最大连续集电极电流（Ic）为25A，脉冲电流（Icm）可达100A，具备强大的过流能力。在典型工作条件下（Vge=15V， Ic=25A），其最大饱和压降仅为2.6V，这意味着在导通状态下的功耗极低。开关特性是其另一大亮点，开启延迟时间（Td(on)）与关断延迟时间（Td(off)）分别为29ns和130ns（测试条件：600V， 25A），结合600J的开启能量和700J的关断能量，表明它能够支持较高频率的开关操作，同时保持可控的开关损耗。集成的快恢复二极管反向恢复时间（trr）为303ns，有助于降低续流过程中的反向恢复损耗和电磁干扰（EMI）。

该IGBT的标准输入类型使其与常见的15V栅极驱动电路兼容，栅极电荷（Qg）为100nC，对驱动器的要求较为友好。其最大功耗为375W，结合宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C），确保了在严苛环境下的稳定运行。通孔安装的TO-247-3封装提供了优异的散热路径，便于通过散热器管理热量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链可靠的重要途径。

基于上述接口与参数特性，STGWA25H120DF2非常适用于对效率和可靠性有高要求的工业级应用场景。它是三相电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等系统中功率变换级的理想选择。在这些应用中，其高电压阻断能力、低导通损耗和稳健的开关性能，能够直接提升整机效率，降低散热需求，并增强系统在负载波动和高温环境下的耐用性。

• 型号:STGWA25H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:600J（导通），700J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:100 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):303 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 想获取STGWA25H120DF2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGWA25H120DF2是意法半导体推出的一款1200V、25A沟槽型场截止IGBT，集成反并联快恢复二极管，采用TO-247-3封装。该器件专为高效、高可靠性的功率开关应用设计，其核心优势在于优异的导通与开关损耗平衡。

器件在15V栅极驱动、25A集电极电流条件下，最大饱和压降仅2.6V，显著降低了导通损耗。同时，其具备快速的开关特性（Td(on)/Td(off)典型值为29ns/130ns）与较低的开关能量，支持更高频率的运行。宽结温工作范围（-55°C ~ 175°C）与375W的最大功耗能力，确保了其在工业环境下的稳健性。